[發明專利]浸入式液體介電常數電容陣列傳感裝置及系統

在審

• 申請號: 202110647709.0
• 申請日: 2021-06-10
• 公開（公告）號: CN113325782A
• 公開（公告）日: 2021-08-31
• 發明（設計）人: 辛云宏;蘇睿恒
• 申請（專利權）人: 陜西師范大學
• 主分類號: G05B19/042
• 分類號: G05B19/042
• 代理公司: 重慶萃智邦成專利代理事務所(普通合伙) 50231
• 代理人: 許攀

1.一種浸入式液體介電常數電容陣列傳感裝置，其特征在于，所述裝置包括：殼體、第一電路板和第二電路板，所述殼體為空腔結構，且所述殼體的一個底面設置有開口，所述殼體的一個側面設置有凹槽，所述凹槽延伸至所述殼體內部的另一側壁的內壁上，并將所述凹槽將所述殼體內部分隔為兩個腔室，所述第一電路板和所述第二電路板分別通過所述開口位置設置在兩個所述腔室內，且所述第一電路板和所述第二電路板結構相同，所述第一電路板和所述第二電路板的正面均包括：第一覆銅片、第二覆銅片、屏蔽地線圈、第一控制接口、第二控制接口、第三控制接口和第四控制接口；所述第一電路板和所述第二電路板的正面的一端分別依次設置有所述第一控制接口、所述第二控制接口、所述第三控制接口和所述第四控制接口，所述第一電路板和所述第二電路板正面上的外周設置有所述屏蔽地線圈，且所述屏蔽地線圈的兩端分別與所述第一控制接口和所述第四控制接口連接，所述屏蔽地線圈內部相對設置有所述第一覆銅片和所述第二覆銅片，且所述第一覆銅片和所述第二覆銅片分別與所述第二控制接口和所述第三控制接口連接，所述第一電路板和所述第二電路板的背面均為全覆銅結構，且所述第一電路板和所述第二電路板的正面與背面均通過過孔電連接。

2.根據權利要求1所述的浸入式液體介電常數電容陣列傳感裝置，其特征在于，所述第一覆銅片和所述第二覆銅片的結構為互補結構。

3.根據權利要求2所述的浸入式液體介電常數電容陣列傳感裝置，其特征在于，所述第一覆銅片和所述第二覆銅片之間的間距的距離為0.5～1mm。

4.根據權利要求3所述的浸入式液體介電常數電容陣列傳感裝置，其特征在于，所述裝置的所述第一電路板和所述第二電路板均還包括：第五控制接口、第六控制接口、第三覆銅片和第四覆銅片，所述第三覆銅片和所述第四覆銅片與所述第一覆銅片和所述第二覆銅片相對設置，所述第五控制接口與所述第三覆銅片電連接，所述第六控制接口與所述第四覆銅片電連接。

5.根據權利要求4所述的浸入式液體介電常數電容陣列傳感裝置，其特征在于，所述第一電路板和所述第二電路板的正面相對設置。

6.根據權利要求5所述的浸入式液體介電常數電容陣列傳感裝置，其特征在于，所述第一電路板的背面與所述第一電路板的正面對稱設置。

7.根據權利要求6所述的浸入式液體介電常數電容陣列傳感裝置，其特征在于，所述第二電路板的背面與所述第二電路板的正面對稱設置。

8.一種浸入式液體介電常數電容陣列傳感系統，其特征在于，所述系統包括：正弦波信號輸入端，信號輸出端、MCU處理器和權利要求1-7任意一項所述的浸入式液體介電常數電容陣列傳感裝置，所述裝置的第一電路板的第二控制接口、第三控制接口，第二電路板的第二控制接口、第三控制接口；在這四個控制接口中，至少有一個控制接口與正弦波信號輸入端電連接，用于接收正弦波信號，至少有一個控制接口與信號輸出端電連接用于輸出電壓信號，所述MCU處理器用于多次對所述輸出電壓信號進行檢測，并根據檢測浸入式液體前后的電壓信號的變化與待測浸入式液體的對應關系，得到待測的浸入式液體的種類編號。