[發(fā)明專利]一種低功耗三維阻變存儲器

在審

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• 申請日: 2021-06-10
• 公開（公告）號: CN113421963A
• 公開（公告）日: 2021-09-21
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 蔡一茂;陳青鈺;王宗巍;張霜杰;黃如
• 申請（專利權(quán)）人: 北京大學(xué);錢塘科技創(chuàng)新中心
• 主分類號: H01L45/00
• 分類號: H01L45/00
• 代理公司: 北京萬象新悅知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11360
• 代理人: 李稚婷

1.一種低功耗三維阻變存儲器，包括襯底和位于襯底上的三維阻變存儲器和隔離介質(zhì)，所述三維阻變存儲器的層數(shù)≥2；其特征在于，所述三維阻變存儲器的單個(gè)器件的結(jié)構(gòu)由下至上依次為下層電極、阻變薄膜、石墨烯阻擋層和上層電極，或者為下層電極、石墨烯阻擋層、阻變薄膜和上層電極，即石墨烯阻擋層位于阻變薄膜與上層電極或下層電極之間，且所述石墨烯阻擋層為化學(xué)氣相淀積法制備的石墨烯薄膜。

2.如權(quán)利要求1所述的低功耗三維阻變存儲器，其特征在于，通過化學(xué)氣相淀積法制備石墨烯薄膜，然后將石墨烯薄膜通過濕法轉(zhuǎn)移的方式轉(zhuǎn)移至樣品上，獲得所述石墨烯阻擋層。

3.如權(quán)利要求1所述的低功耗三維阻變存儲器，其特征在于，所述石墨烯阻擋層的厚度為單層至20nm范圍內(nèi)。

4.如權(quán)利要求1所述的低功耗三維阻變存儲器，其特征在于，所述石墨烯阻擋層存在孔徑約為10nm的納米缺陷孔，密度約為1/μm²。

5.如權(quán)利要求1所述的低功耗三維阻變存儲器，其特征在于，所述上層電極和下層電極采用下述材料中的一種或多種：W、Pt、Au、Al、Cu、Ag、Ni和TiN。

6.如權(quán)利要求1所述的低功耗三維阻變存儲器，其特征在于，所述上層電極和下層電極的厚度為10～200nm。

7.如權(quán)利要求1所述的低功耗三維阻變存儲器，其特征在于，所述阻變薄膜采用氧化物或有機(jī)材料。

8.如權(quán)利要求1所述的低功耗三維阻變存儲器，其特征在于，所述阻變薄膜的厚度為5～50nm。

9.如權(quán)利要求1所述的低功耗三維阻變存儲器，其特征在于，所述襯底為硬質(zhì)襯底或柔性有機(jī)襯底，或者是不同材質(zhì)襯底組成的復(fù)合襯底。