[發明專利]用于多模濾波器的電路和方法

在審

• 申請號: 202110647050.9
• 申請日: 2014-03-12
• 公開（公告）號: CN113517875A
• 公開（公告）日: 2021-10-19
• 發明（設計）人: 奧梅羅·吉馬雷斯;馬修·理查德·米勒
• 申請（專利權）人: 華為技術有限公司
• 主分類號: H03H11/04
• 分類號: H03H11/04;H01L27/06;H01L49/02
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種集成電路，其特征在于，包括：

運算放大器，以及與所述運算放大器輸入和輸出端之間連接的第一可變電容器，其中，所述第一可變電容器包括：

第一電容元件，其中，所述第一電容元件包括金屬氧化物半導體結構的第一電容器；

與所述第一電容元件并聯的第二電容元件，其中，所述第二電容元件包括金屬氧化物半導體結構的第二電容器。

2.根據權利要求1所述的集成電路，其特征在于，還包括：

與所述第一電容元件和所述第二電容元件并聯的第三電容元件，其中，所述第三電容元件包括金屬氧化物金屬結構的第三電容器；以及

與所述第一電容元件、所述第二電容元件和所述第三電容元件并聯的第四電容元件，其中，所述第四電容元件包括金屬氧化物金屬結構的第四電容器。

還包括與所述第二電容器串聯耦合的第二開關，以及與所述第四電容器串聯耦合的第四開關，所述第二開關用于獨立接通或斷開所述第二電容器，所述第四開關用于獨立接通或斷開所述第四電容器。

3.根據權利要求2所述的集成電路，其特征在于，

還包括與所述第一電容器串聯耦合的第一開關，以及與所述第三電容器串聯耦合的第三開關，所述第一開關用于獨立接通或斷開所述第一電容器，所述第三開關用于獨立接通或斷開所述第三電容器。

4.根據權利要求1-3任一項所述的集成電路，其特征在于，

所述第一電容元件和第二電容元件形成于半導體基板表面，所述第三電容元件和所述第四電容元件形成于覆蓋所述半導體基板表面的金屬層中。

5.根據權利要求1-3任一項所述的集成電路，其特征在于，

所述濾波器用于通過包括全球移動通信系統的200KHz的信號和長期演進的20MHz的信號。

6.根據權利要求5所述的集成電路，其特征在于，

所述運算放大器的輸入端包括正輸入端和負輸入端，所述運算放大器的輸出端包括正輸出端和負輸出端；

所述多模濾波器包括第一電阻器，所述第一電阻器與所述第一可變電容器并聯耦合在所述運算放大器的所述正輸入端和所述負輸出端之間。

7.根據權利要求6所述的集成電路，其特征在于，

所述多模濾波器還包括第二可變電容器和第二電阻器，所述第二電阻器與所述第二可變電容器并聯耦合在所述運算放大器的所述負輸入端和所述正輸出端之間，所述第二電阻器與所述第二可變電容器構成的電路與所述第一電容器和第一電阻器構成的電路對稱。

8.根據權利要求4所述的集成電路，其特征在于，

所述金屬氧化物金屬結構中的氧化物為二氧化硅或二氧化鉿。

9.根據權利要求4所述的濾波器，其特征在于，

所述第一電容器的頂板為柵極多晶硅。

10.根據權利要求9所述的濾波器，其特征在于，

所述濾波器包括第一通孔；

所述第一通孔將所述第一電容器的頂板連接到覆蓋半導體基板表面的第一金屬互聯層。

11.根據權利要求1-3任一項所述的集成電路，其特征在于：

還包括第三可變電容器，所述第三可變電容器耦合于所述運算放大器的正輸入端和負輸入端，

所述第三可變電容器包括第五電容元件，其中，所述第五電容元件包括金屬氧化物半導體結構的第五電容器；

與所述第五電容元件并聯的第六電容元件，其中，所述第六電容元件包括金屬氧化物半導體結構的第六電容器；

與所述第五電容元件和所述第六電容元件并聯的第七電容元件，其中，所述第七電容元件包括金屬氧化物金屬結構的第七電容器；以及

與所述第五電容元件、所述第六電容元件和所述第七電容元件并聯的第八電容元件，其中，所述第八電容元件包括金屬氧化物金屬結構的第八電容器。