[發(fā)明專利]一種利用工業(yè)副產(chǎn)石膏生產(chǎn)II型無水石膏的裝置及方法

在審

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• 申請日: 2021-06-10
• 公開（公告）號(hào): CN113307522A
• 公開（公告）日: 2021-08-27
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 唐紹林;萬建東;彭卓飛;章健;陳玉蘭;唐煒;唐楠;孫正申;宋小霞;陳家偉;劉麗娟
• 申請（專利權(quán)）人: 江蘇一夫科技股份有限公司
• 主分類號(hào): C04B11/036
• 分類號(hào): C04B11/036;C04B11/05;C04B11/26
• 代理公司: 北京品源專利代理有限公司 11332
• 代理人: 鞏克棟

1.一種利用工業(yè)副產(chǎn)石膏生產(chǎn)II型無水石膏的裝置，其特征在于，所述裝置包括依次連接的進(jìn)料單元、烘干單元、煅燒單元、控晶單元與產(chǎn)品收集單元；所述控晶單元包括晶型控制器。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，所述進(jìn)料單元包括相互連接的原料儲(chǔ)存器與原料輸送器，所述原料輸送器的出口與所述烘干單元的入口相連接；

優(yōu)選地，所述原料儲(chǔ)存器內(nèi)設(shè)置防粘壁組件；

優(yōu)選地，所述烘干單元包括破碎烘干機(jī)。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的裝置，其特征在于，所述煅燒單元包括至少一級(jí)煅燒器與燃?xì)忪褵隣t，最后一級(jí)所述煅燒器的出口與所述燃?xì)馊紵隣t的入口相連接；

優(yōu)選地，所述煅燒器包括旋風(fēng)式煅燒器；

優(yōu)選地，所述煅燒器的級(jí)數(shù)為2-4級(jí)；

優(yōu)選地，所述燃?xì)忪褵隣t的出口設(shè)置煅燒物料收集器；

優(yōu)選地，所述煅燒物料收集器為旋風(fēng)式收集器；

優(yōu)選地，所述燃?xì)馊紵隣t包括燃?xì)馊肟?、固體入口、氣體入口以及氣固混合料出口；

優(yōu)選地，所述煅燒單元還包括第一引風(fēng)機(jī)，所述第一引風(fēng)機(jī)的入口與所述煅燒單元的氣體出口相連接。

4.根據(jù)權(quán)利要求1-3任一項(xiàng)所述的裝置，其特征在于，所述裝置還包括冷卻單元，所述冷卻單元設(shè)置于所述控晶單元與所述產(chǎn)品收集單元之間；

優(yōu)選地，所述冷卻單元包括至少一級(jí)冷卻器與第一鼓風(fēng)機(jī)；

優(yōu)選地，所述冷卻器包括旋風(fēng)式冷卻器；

優(yōu)選地，所述冷卻器的級(jí)數(shù)為2-4級(jí)；

優(yōu)選地，所述第一鼓風(fēng)機(jī)的出口與所述冷卻單元的氣體入口相連接；

優(yōu)選地，所述產(chǎn)品收集單元包括提升機(jī)與產(chǎn)品收集倉。

5.一種采用權(quán)利要求1-4任一項(xiàng)所述裝置生產(chǎn)II型無水石膏的方法，其特征在于，所述方法包括以下步驟：

(1)將工業(yè)副產(chǎn)石膏利用進(jìn)料單元與烘干單元進(jìn)行破碎、干燥，得到干燥石膏原料；

(2)將步驟(1)得到的干燥石膏原料利用煅燒單元進(jìn)行煅燒，得到II型無水石膏粗品；

(3)將步驟(2)得到的II型無水石膏粗品利用晶型控制器進(jìn)行控晶，再利用產(chǎn)品收集單元進(jìn)行收集，得到II型無水石膏產(chǎn)品。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，步驟(1)所述工業(yè)副產(chǎn)石膏含有游離水，所述游離水的含量占所述工業(yè)副產(chǎn)石膏總量的8-14wt.％；

優(yōu)選地，步驟(1)所述干燥的溫度＜100℃；

優(yōu)選地，步驟(1)所述破碎后，物料中粒徑小于80μm的顆粒占比在90％以上。

7.根據(jù)權(quán)利要求5或6所述的方法，其特征在于，步驟(2)所述煅燒單元的煅燒級(jí)數(shù)為2-4級(jí)，下一級(jí)煅燒的溫度高于上一級(jí)煅燒的溫度；

優(yōu)選地，最后一級(jí)煅燒得到的氣固混合物進(jìn)入燃?xì)忪褵隣t中進(jìn)行煅燒，控制所述燃?xì)忪褵隣t的溫度為700-800℃；

優(yōu)選地，步驟(2)所述煅燒單元的熱源均來自所述燃?xì)馊紵隣t；

優(yōu)選地，所述燃?xì)馊紵隣t的燃?xì)獍ㄌ烊粴狻?/p>

8.根據(jù)權(quán)利要求5-7任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，步驟(3)所述晶型控制器的溫度為700-800℃；

優(yōu)選地，步驟(3)所述晶型控制器的停留時(shí)間為20-50min。

9.根據(jù)權(quán)利要求5-8任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，在步驟(3)所述控晶之后，先利用冷卻單元進(jìn)行冷卻處理，再利用產(chǎn)品收集單元進(jìn)行收集；

優(yōu)選地，所述冷卻處理包括：利用空氣對控晶后的產(chǎn)物進(jìn)行降溫，然后進(jìn)行氣固分離，所得固體利用產(chǎn)品收集單元進(jìn)行收集，所得氣體進(jìn)入步驟(2)所述煅燒單元，為所述燃?xì)馊紵隣t提供氧氣。

10.根據(jù)權(quán)利要求5-9任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，所述方法包括以下步驟：

(1)將工業(yè)副產(chǎn)石膏利用進(jìn)料單元與烘干單元進(jìn)行破碎、干燥，得到干燥石膏原料；

其中，所述工業(yè)副產(chǎn)石膏含有游離水，所述游離水的含量占所述工業(yè)副產(chǎn)石膏總量的8-14wt.％；控制所述干燥的溫度＜100℃；所述破碎后，物料中粒徑小于80μm的顆粒占比在90％以上；

(2)將步驟(1)得到的干燥石膏原料利用煅燒單元進(jìn)行2-4級(jí)煅燒，下一級(jí)煅燒的溫度高于上一級(jí)煅燒的溫度，最后一級(jí)煅燒得到的氣固混合物進(jìn)入燃?xì)忪褵隣t中進(jìn)行煅燒，控制所述燃?xì)忪褵隣t的溫度為700-800℃，得到II型無水石膏粗品；

其中，所述煅燒單元的熱源均來自所述燃?xì)馊紵隣t，所述燃?xì)馊紵隣t的燃?xì)獍ㄌ烊粴猓?/p>

(3)將步驟(2)得到的II型無水石膏粗品利用晶型控制器進(jìn)行控晶，控制所述晶型控制器的溫度為700-800℃，停留時(shí)間為20-50min；利用空氣對控晶后的產(chǎn)物進(jìn)行降溫，然后進(jìn)行氣固分離，所得氣體進(jìn)入步驟(2)所述煅燒單元，為所述燃?xì)馊紵隣t提供氧氣，所得固體利用產(chǎn)品收集單元進(jìn)行收集，得到II型無水石膏產(chǎn)品。