[發明專利]一種基于Ga2

有效

• 申請號: 202110645745.3
• 申請日: 2021-06-09
• 公開（公告）號: CN113555448B
• 公開（公告）日: 2023-06-09
• 發明（設計）人: 李京波;王小周;趙艷;齊紅基
• 申請（專利權）人: 浙江芯科半導體有限公司
• 主分類號: H01L29/872
• 分類號: H01L29/872;H01L29/06;H01L21/329
• 代理公司: 西安嘉思特知識產權代理事務所(普通合伙) 61230
• 代理人: 李園園

1.一種基于Ga₂O₃終端結構的4H-SiC肖特基二極管，其特征在于，包括：

SiC外延層(1)；

有源區(2)，位于所述SiC外延層(1)的表層中；

終端區(3)，位于所述SiC外延層(1)中且位于所述有源區(2)的兩側，其中，所述終端區(3)包括若干間隔排列的Ga₂O₃終端結構(31)，所述Ga₂O₃終端結構(31)與所述SiC外延層(1)之間均形成pn結。

2.根據權利要求1所述的基于Ga₂O₃終端結構的4H-SiC肖特基二極管，其特征在于，所述SiC外延層(1)的材料包括P型SiC，所述Ga₂O₃終端結構(31)的材料包括N型Ga₂O₃。

3.根據權利要求1所述的基于Ga₂O₃終端結構的4H-SiC肖特基二極管，其特征在于，若干所述Ga₂O₃終端結構(31)均勻分布。

4.根據權利要求1所述的基于Ga₂O₃終端結構的4H-SiC肖特基二極管，其特征在于，所述Ga₂O₃終端結構(31)的厚度為0.5～1.5μm。

5.根據權利要求1所述的基于Ga₂O₃終端結構的4H-SiC肖特基二極管，其特征在于，所述有源區(2)包括若干間隔排列的有源區Ga₂O₃結構(21)，所述有源區Ga₂O₃結構(21)與所述SiC外延層(1)之間形成pn結。

6.根據權利要求5所述的基于Ga₂O₃終端結構的4H-SiC肖特基二極管，其特征在于，所述有源區Ga₂O₃結構(21)的材料包括N型Ga₂O₃。

7.根據權利要求5所述的基于Ga₂O₃終端結構的4H-SiC肖特基二極管，其特征在于，若干所述有源區Ga₂O₃結構(21)均勻分布，相鄰所述有源區Ga₂O₃結構(21)之間的距離為2～4μm，所述有源區Ga₂O₃結構(21)的厚度為0.5～1.5μm。

8.根據權利要求1所述的基于Ga₂O₃終端結構的4H-SiC肖特基二極管，其特征在于，還包括：SiC襯底(10)、歐姆接觸金屬層(4)、第一接觸層(5)、第一鈍化層(6)、肖特基接觸金屬層(7)、第二接觸層(8)和第二鈍化層(9)，其中，

所述第一接觸層(5)、所述歐姆接觸金屬層(4)、所述SiC襯底(10)和所述SiC外延層(1)依次層疊；

所述第一鈍化層(6)位于所述SiC外延層(1)上，且位于所述終端區(3)上方；

所述肖特基接觸金屬層(7)位于所述SiC外延層(1)上且位于所述有源區(2)上方，其端部覆蓋所述第一鈍化層(6)的部分表面；

所述第二接觸層(8)位于所述肖特基接觸金屬層(7)上；

所述第二鈍化層(9)覆蓋所述第一鈍化層(6)、所述肖特基接觸金屬層(7)的端部和所述第二接觸層(8)的端部。