[發(fā)明專利]一種異質(zhì)結(jié)電池生產(chǎn)方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202110645698.2
• 申請(qǐng)日: 2021-06-09
• 公開（公告）號(hào): CN113451439A
• 公開（公告）日: 2021-09-28
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陳功兵;孫林;劉諭;潘登;蒙春才;閆濤;楊秀清;何堂貴;劉正新
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中威新能源（成都）有限公司
• 主分類號(hào): H01L31/18
• 分類號(hào): H01L31/18;H01L31/0747;H01L31/0224
• 代理公司: 成都弘毅天承知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 51230
• 代理人: 鄧蕓

1.一種異質(zhì)結(jié)電池生產(chǎn)方法，其特征在于，包括如下步驟：

步驟1、硅片制絨：對(duì)硅片進(jìn)行去損傷層、拋光、制絨和清洗；

步驟2、非晶硅制作：對(duì)經(jīng)過(guò)步驟1處理的硅片正面制作正面本征非晶硅層和n+非晶硅摻雜層，在硅片背面制作背面本征非晶硅層和P+非晶硅摻雜層，n+非晶硅摻雜層和P+非晶硅摻雜層的制作均通過(guò)PECVD的方式沉積；

步驟3、制作TCO層：在步驟2中得到的n+非晶硅摻雜層和P+非晶硅摻雜層上分別制作透明導(dǎo)電膜層(TCO層)，P+非晶硅摻雜層邊緣設(shè)置背面掩膜，掩膜區(qū)的寬度為0.05-0.5mm，這樣P+非晶硅摻雜層邊緣存在一圈未沉積透明導(dǎo)電膜層(TCO層)的區(qū)域；

步驟4、刻邊工藝：對(duì)經(jīng)過(guò)步驟3處理的硅片放入堿液中進(jìn)行刻邊處理；

步驟5、經(jīng)過(guò)步驟4處理的硅片的正反面上制作金屬電極，即完成異質(zhì)結(jié)電池的制作。

2.根據(jù)權(quán)利1所述的一種異質(zhì)結(jié)電池生產(chǎn)方法，其特征在于，步驟4中，刻邊工藝包括如下步驟：

步驟a、對(duì)經(jīng)過(guò)步驟3處理的硅片水洗或者采用1號(hào)液清洗；

步驟b、經(jīng)過(guò)步驟a清洗的硅片放到堿中刻邊；

步驟c、刻邊完成后用純水清洗干凈硅片表面堿液；

步驟d、烘干。

3.根據(jù)權(quán)利2所述的一種異質(zhì)結(jié)電池生產(chǎn)方法，其特征在于，步驟a中，刻邊清洗設(shè)備包含槽式或者鏈?zhǔn)娇涛g設(shè)備。

4.根據(jù)權(quán)利2所述的一種異質(zhì)結(jié)電池生產(chǎn)方法，其特征在于，步驟b中，堿液為KOH、NaOH、NH4OH中的一種或幾種，堿液的濃度1％～50％，溫度控制在20～100℃。

5.根據(jù)權(quán)利2所述的一種異質(zhì)結(jié)電池生產(chǎn)方法，其特征在于，步驟b中，刻邊為浸泡式刻邊或僅四邊進(jìn)入堿液中刻邊。