[發明專利]一種反熔絲單元工藝質量監控測試電路

有效

• 申請號: 202110644497.0
• 申請日: 2021-06-09
• 公開（公告）號: CN113380655B
• 公開（公告）日: 2022-08-16
• 發明（設計）人: 鄭若成;王印權;鄭良晨;胡君彪;郝新焱
• 申請（專利權）人: 中國電子科技集團公司第五十八研究所
• 主分類號: H01L21/66
• 分類號: H01L21/66;H01L21/67
• 代理公司: 無錫派爾特知識產權代理事務所(普通合伙) 32340
• 代理人: 楊立秋

1.一種反熔絲單元工藝質量監控測試電路，包括譯碼器、存儲器、靈敏放大器、編程模塊、控制模塊和電源端口VDD端、VCC端與GND端，其特征在于，所述譯碼器、存儲器和靈敏放大器依次連接在一起，所述靈敏放大器，編程模塊并聯在一起，所述靈敏放大器和所述編程模塊均與所述控制模塊相連，所述譯碼器上連接有輸入端口Am-A0端和An-Am+1端，所述靈敏放大器和編程模塊上并聯有輸出端口DQn～DQ0，所述存儲器上連接有電阻校驗端口R1和R2，所述控制模塊上設有輸入端、端和端，所述編程模塊和VCC端連接在一起；所述存儲器包括選擇管M1、選擇管M2，限流管M3、限流管M4以及高壓隔離管M5，反熔絲單元AF1、反熔絲單元AF2，連接節點S1、連接節點S2，狀態節點Q1、狀態節點Q2，輸入使能CE_OE_PE，行列地址BL、行列地址WL1，WL2，選擇管M1和選擇管M2柵極連接在一起，選擇管M1和限流管M3源漏相連，其連接點為S1節點；選擇管M2和限流管M4源漏相連，其連接點為S2節點；反熔絲單元AF1與選擇管M1并聯，反熔絲單元AF2與選擇管M2并聯；高壓隔離管M5源漏分別連接狀態節點Q1和Q2，狀態節點Q1連接行列地址BL；限流管M3的柵端連接行列地址WL1，源端接地；限流管M4的柵端連接行列地址WL2，源端接地；選擇管M1和選擇管M2的漏極連接狀態節點Q1。

2.根據權利要求1所述的一種反熔絲單元工藝質量監控測試電路，其特征在于：存儲器包括讀出電路，所述讀出電路包括上拉管M6以及反相器INV1，狀態節點Q2、Q3，高壓隔離管M5為存儲陣列輸出隔離管，對應輸出狀態節點Q2連接在M6源端和INV1的輸入端，M6漏端連接電源，反相器INV1輸出端的狀態節點Q3作為讀出信號最終輸出。

3.根據權利要求1所述的一種反熔絲單元工藝質量監控測試電路，其特征在于：存儲器容量為16kbit～1Mbit。