[發明專利]一種組合物和包含其的有機電致發光元件

有效

• 申請號: 202110644380.2
• 申請日: 2021-06-09
• 公開（公告）號: CN113421983B
• 公開（公告）日: 2022-06-28
• 發明（設計）人: 王子興;郭建鋒;廖張程;吳空物
• 申請（專利權）人: 上海大學;浙江華顯光電科技有限公司
• 主分類號: H01L51/50
• 分類號: H01L51/50;H01L51/54
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種組合物，其特征在于，包含一種銥金屬配合物和一種有機化合物，其中所述有機化合物的結構如式(I)所示：

在式(I)中，X1至X3獨立選自N或C-R4，且至少有兩個為N；Ar1、Ar2獨立選自取代或未取代的C6～C60的芳基、取代或未取代的C1～C60的雜芳基；R1至R5各自獨立地選自氫、氘、CN、鹵素、取代或未取代的C1～C60的烷基、取代或未取代的C2～C60的烯基、取代或未取代的C1～C60的烷氧基、取代或未取代的C1～C60的環烷基、取代或未取代的C1～C60的雜烷基、取代或未取代的C6～C60的芳基、取代或未取代的C1～C60的雜芳基、取代或未取代的C1～C60的胺基、取代或未取代的C1～C60的硅基、取代或未取代的C6～C60的芳族稠環、取代或未取代的C1～C60的雜芳族稠環；Ar1、Ar2、R1至R5各自獨立地可被部分或全部氘代、各自獨立地可被部分或全氟代；R1至R5可以根據價健原則不取代或多取代；相鄰的R1至R5可以成環，n獨立地為0至8的整數；且所述有機化合物的單線態能級S1與三線態能級T1的差值≤0.35電子伏特；

CY1獨立選自式(A)至式(M)中的一種：

其中，Y獨立選自O、S、N-R7、CR7R7、SiR7R7、B-R7中的一種，Z獨立地為N或C-R；R、R5至R7各自獨立地選自氫、氘、CN、F、取代或未取代的C1～C60的烷基、取代或未取代的C2～C60的烯基、取代或未取代的C1～C60的烷氧基、取代或未取代的C1～C60的環烷基、取代或未取代的C1～C60的雜烷基、取代或未取代的C6～C60的芳基、取代或未取代的C1～C60的雜芳基、取代或未取代的C1～C60的胺基、取代或未取代的C1～C60的硅基、取代或未取代的C6～C60的芳族稠環、取代或未取代的C1～C60的雜芳族稠環；當兩個或以上相鄰的R5至R7可以相互成環；n獨立地為0至8的整數；m為1或2；*、**表示與N或C相連的位置；

所述銥金屬配合物的結構式如式(II)所示：

在式(II)中,X選自NR1、O、S、CR14R15、SiR14R15；R6至R15獨立選自氫、氘、F、C1～C8烷基、C1～C8烷氧基、含C1～C8烷硅基、含C1～C8烷氧硅基、C6～C40的芳基，C1～C40的雜芳基、取代或未取代的芳基醚基、取代或未取代的雜芳基醚基、取代或未取代的芳基硅基、取代或未取代的雜芳基硅基、取代或未取代的芳基氧硅基中的任意一種；(L^Z)為輔助配體，為二齒配體，其與上述結構式左側的主配體相同或不同；所有基團可以被部分氘代或全氘代；雜芳基是指含有B、N、O、S、P(＝O)、Si、P中至少一個雜原子。

2.根據權利要求1所述的組合物，其特征在于，其中式(II)所述的銥金屬配合物結構式選自下列代表性結構的一種：

其中X、R8至R18與權利要求1的定義相同。

3.根據權利要求1所述的組合物，其特征在于，其中式(I)所述的有機化合物中CY1獨立選自以下代表結構式的一種：

其中，Y獨立選自O、S、N-R7、CR7R7、SiR7R7、B-R7中的一種，Z獨立地為N或C-R；R、R6至R8獨立地選自CN、取代或未取代的C1～C60的烷基、取代或未取代的C2～C60的烯基、取代或未取代的C1～C60的環烷基、取代或未取代的C1～C60的雜烷基、取代或未取代的C6～C60的芳基、取代或未取代的C1～C60的雜芳基、取代或未取代的C1～C60的胺基、取代或未取代的C1～C60的硅基、取代或未取代的C6～C60的芳族稠環、取代或未取代的C1～C60的雜芳族稠環，n獨立地為0至8的整數。

4.根據權利要求1所述的組合物，其特征在于，其中式(I)所述的有機化合物選自以下代表結構的一種：

其中，X1至X3獨立選自N或C-R4，且至少有兩個為N；Y獨立選自O、S、N-R7、CR7R7、SiR7R7、B-R7中的一種，Z獨立地為N或C-R；Ar1、Ar2、R、R1至R7、n與權利要求1的定義相同。

5.根據權利要求1至4任一項所述的組合物，其特征在于，R、R1至R17獨立選自氫、氘、CN、F或以下結構的一種：