[發明專利]帶接反保護的開路檢測電路

在審

• 申請號: 202110644062.6
• 申請日: 2021-06-09
• 公開（公告）號: CN113359063A
• 公開（公告）日: 2021-09-07
• 發明（設計）人: 張超;牛智文;王雪艷
• 申請（專利權）人: 賽卓電子科技（上海）有限公司
• 主分類號: G01R31/54
• 分類號: G01R31/54;G01R1/36
• 代理公司: 上海段和段律師事務所 31334
• 代理人: 祁春倪;郭國中

1.一種帶接反保護的開路檢測電路，其特征在于，包括防接反PMOS管、耗盡型NMOS管以及負壓產生電路，其中：

所述防接反PMOS的輸入為外部輸入電壓V_IN，并輸出電壓信號V_D至耗盡型NMOS管；

所述耗盡型NMOS管的輸入為負壓產生電路輸出電壓V_G，輸出信號VS經調節輸出電壓V_OUT；

所述負壓產生電路的輸入電壓信號E_N為使能信號，負壓產生電路的輸出電壓V_G控制耗盡型NMOS管通斷。

2.根據權利要求1提供的一種帶接反保護的開路檢測電路，其特征在于，所述防接反PMOS管包括低導通電壓PMOS管PM1，其中：

所述低導通電壓PMOS管PM1的柵極與源極與耗盡型NMOS管連接，漏極與外部輸入電壓V_IN連接。

3.根據權利要求2提供的一種帶接反保護的開路檢測電路，其特征在于，所述耗盡型NMOS管包括NMOS管NM1、電阻R1以及電阻R2，其中：

所述NMOS管NM1的柵極連接電阻R1的一端，NMOS管NM1的漏極連接電阻R1的另一端、第一NMOS管NM1的柵極和漏極，NMOS管NM1的源極連接電阻R2的一端。

4.根據權利要求3提供的一種帶接反保護的開路檢測電路，其特征在于，所述PMOS管PM1的柵極、源極與耗盡型NMOS管的漏極相連構成二極管結構。

5.根據權利要求4提供的一種帶接反保護的開路檢測電路，其特征在于，

出現反接情況時，PMOS管PM1柵極、源極短接使其源漏端電壓大于0時，檢測電路處于截止狀態；

未出現反接情況時，PMOS管PM1源漏端電壓小于0并且其絕對值大于PM1體二極管正向導通壓降時，體二極管導通。

6.根據權利要求4提供的一種帶接反保護的開路檢測電路，其特征在于，第一NMOS管NM1的柵極連接負壓產生電路模塊的輸出電壓V_G，芯片正常工作時，負壓產生電路輸出負壓使NM1截止，芯片發生開路時，負壓產生電路模塊失效，第一PMOS管PM1的輸出電壓V_D經第一電阻R1產生電壓V_G使第一NMOS管NM1導通。

7.根據權利要求6提供的一種帶接反保護的開路檢測電路，其特征在于，NM1源端電壓經第二電阻R2將輸出電壓V_OUT拉高使輸出電壓V_OUT不低于4.75V。