[發明專利]一種基于SAW和IPD的晶圓級混合封裝模組及方法在審
| 申請號： | 202110643619.4 | 申請日： | 2021-06-09 |
| 公開（公告）號： | CN113346865A | 公開（公告）日： | 2021-09-03 |
| 發明（設計）人： | 不公告發明人 | 申請（專利權）人： | 上海芯波電子科技有限公司 |
| 主分類號： | H03H9/25 | 分類號： | H03H9/25 |
| 代理公司： | 上海樂泓專利代理事務所(普通合伙) 31385 | 代理人： | 王瑞 |
| 地址： | 200000 上海市*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 基于 saw ipd 晶圓級 混合 封裝 模組 方法 | ||
1.一種基于SAW和IPD的晶圓級混合封裝模組，其特征在于，所述模組包括：
第一濾波器，所述第一濾波器在第一頻段對接收到的信號濾波；
第二濾波器，所述第二濾波器在不同于第一頻段的第二頻段對接收到的信號進行濾波；
有機組件和模塑料，所述濾波器設置于模塑料內，所述膜塑料為所述第一濾波器提供第一空間，所述模塑料為所述第二濾波器提供不同于第一空間的第二空間；
所述模塑料與所述有機組件連接，所述濾波器的信號焊盤穿過所述有機組件向外形成有外部引腳。
2.根據權利要求1所述的基于SAW和IPD的晶圓級混合封裝模組，其特征在于，所述第一濾波器為聲表面波濾波器，所述第一濾波器與所述有機組件之間形成有閉合的空腔，所述空腔介于所述第一濾波器的多個所述信號焊盤之間。
3.根據權利要求2所述的基于SAW和IPD的晶圓級混合封裝模組，其特征在于，所述空腔的橫截面為矩形，且矩形的長寬比值在5:4-4:3之間。
4.根據權利要求3所述的基于SAW和IPD的晶圓級混合封裝模組，其特征在于，所述第一濾波器的信號焊盤的高度與所述模塑料的高度之比在1:5-1:4之間。
5.根據權利要求4所述的基于SAW和IPD的晶圓級混合封裝模組，其特征在于，所述第二濾波器為集成無源器件濾波器，所述第二濾波器通過信號焊盤與所述有機組件連接，所述信號焊盤穿過所述有機組件向外形成有外部引腳。
6.一種基于SAW和IPD的晶圓級混合封裝方法，其特征在于，所述封裝方法包括如下步驟：
襯底載板準備步驟：以人工晶圓作為襯底載板，在所述襯底載板上采用光刻工藝制作空腔；
濾波器貼裝步驟：將第一濾波器粘貼于所述空腔區域，將第二濾波器粘貼在不同于空腔區域的其他區域；
模塑步驟：將模塑模具腔體與所述襯底載板圍合，所述濾波器處于圍合后的空間內，填充模塑料至所述空間，通過加熱模塑料，使所述模塑料受熱融化，在壓力的作用下使所述模塑料充滿所述模塑模具腔體，再冷卻固化；
去載板步驟：將經所述模塑步驟處理后的所述襯底載板部分去除，裸露出所述濾波器的信號焊盤的表面；
重新分布和凸點工藝步驟：所述襯底載板遠離濾波器的另一側連接有有機組件，將經所述去載板步驟處理后的襯底載板進行重新分布和凸點工藝，將所述信號焊盤引出所述有機組件外側，形成外部引腳。
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