[發(fā)明專利]一種磁性橢偏測量裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202110643025.3
• 申請日: 2021-06-09
• 公開（公告）號(hào): CN113310907B
• 公開（公告）日: 2022-07-05
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 劉世元;劉佳敏;江浩;龔雯棋
• 申請（專利權(quán)）人: 華中科技大學(xué)
• 主分類號(hào): G01N21/21
• 分類號(hào): G01N21/21;G01N21/01;G01R33/12
• 代理公司: 華中科技大學(xué)專利中心 42201
• 代理人: 劉洋洋

1.一種磁光橢偏測量裝置，其特征在于，所述裝置包括橢偏測量模塊(100)、磁場加載模塊(200)以及樣品臺(tái)(300)，其中：

所述橢偏測量模塊(100)包括入射起偏光路和反射檢偏光路，入射起偏光路上的測量光經(jīng)所述樣品臺(tái)(300)上的待測樣品反射后進(jìn)入所述反射檢偏光路，其中，所述入射起偏光路沿光路方向依次布置有光源(111)、準(zhǔn)直透鏡(112)以及偏振態(tài)發(fā)生組件(113)，所述反射檢偏光路沿光路方向依次布置有偏振態(tài)探測組件(121)、會(huì)聚透鏡(122)以及光譜儀(123)；

所述磁場加載模塊(200)包括水平磁場加載模塊(210)以及豎直磁場加載模塊(220)，其中，所述水平磁場加載模塊(210)包括水平移動(dòng)組件(211)、第一永久磁鐵磁極對(212a、212b)、旋轉(zhuǎn)臺(tái)(213)，所述水平移動(dòng)組件(211)對稱設(shè)于平行設(shè)于所述樣品臺(tái)(300)兩側(cè)，所述旋轉(zhuǎn)臺(tái)(213)用于帶動(dòng)所述水平移動(dòng)組件(211)在水平面內(nèi)旋轉(zhuǎn)，第一永久磁鐵磁極對(212a、212b)中的兩磁鐵設(shè)于所述樣品臺(tái)(300)的兩側(cè)并分別設(shè)于所述水平移動(dòng)組件(211)上，使兩磁鐵相向或向背運(yùn)動(dòng)；所述豎直磁場加載模塊(220)包括豎直移動(dòng)組件(221)以及第二永久磁鐵磁極對(222a、222b)，所述豎直移動(dòng)組件(221)垂直于所述樣品臺(tái)(300)平面，所述第二永久磁鐵磁極對(222a、222b)的兩磁鐵設(shè)于所述樣品臺(tái)(300)的上下側(cè)并分別設(shè)于所述豎直移動(dòng)組件(221)上，使得所述第二永久磁鐵磁極對(222a、222b)的兩磁鐵相對所述樣品臺(tái)(300)上的樣品相向或相背運(yùn)動(dòng)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，所述第一永久磁鐵磁極對(212a、212b)中的兩磁鐵對稱設(shè)于所述樣品臺(tái)(300)的兩側(cè)，且所述樣品臺(tái)(300)上的待測樣品位于所述第一永久磁鐵磁極對(212a、212b)產(chǎn)生的磁場中間。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的裝置，其特征在于，所述水平移動(dòng)組件(211)包括第一雙向絲杠(211a)和設(shè)于所述第一雙向絲杠(211a)兩端的第一基座(211b)，所述第一永久磁鐵磁極對(212a、212b)中的兩磁鐵分別設(shè)于所述第一基座(211b)上。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的裝置，其特征在于，所述水平移動(dòng)組件(211)還包括間距控制單元，用于控制所述第一永久磁鐵磁極對(212a、212b)中的兩磁鐵與樣品之間的距離。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，所述第二永久磁鐵磁極對(222a、222b)的兩磁鐵對稱設(shè)于所述樣品臺(tái)(300)的上下側(cè)，且所述樣品臺(tái)(300)上的待測樣品位于所述第二永久磁鐵磁極對(222a、222b)產(chǎn)生的磁場中間。

6.根據(jù)權(quán)利要求1或5所述的裝置，其特征在于，所述豎直移動(dòng)組件(221)包括第二雙向絲杠(221a)和設(shè)于所述第二雙向絲杠(221a)兩端的第二基座(221b)，所述第二永久磁鐵磁極對(222a、222b)的兩磁鐵分別設(shè)于所述第二基座(221b)上。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的裝置，其特征在于，所述豎直移動(dòng)組件(221)還包括間距控制單元，用于控制所述第二永久磁鐵磁極對(222a、222b)中的兩磁鐵與樣品之間的距離。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，所述偏振態(tài)發(fā)生組件(113)包括起偏器與一對光彈調(diào)制器，所述偏振態(tài)探測組件(121)包括一對光彈調(diào)制器和檢偏器。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，所述光源產(chǎn)生光的波長為200nm～1700nm。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，所述入射起偏光路和反射檢偏光路還包括微透鏡。