[發明專利]一種利于提升Q點充電率的GOA電路

在審

• 申請號: 202110642742.4
• 申請日: 2021-06-09
• 公開（公告）號: CN113506544A
• 公開（公告）日: 2021-10-15
• 發明（設計）人: 劉凱;薛炎;王隆杰;陳芷若;鄭鈺芝;林可欣;林紫燁;馬馳華;梁照輝;葉樺
• 申請（專利權）人: 深圳職業技術學院
• 主分類號: G09G3/3266
• 分類號: G09G3/3266;G09G3/3225
• 代理公司: 深圳市神州聯合知識產權代理事務所(普通合伙) 44324
• 代理人: 王志強

1.一種利于提升Q點充電率的GOA電路，其特征在于，該電路包括有外部偵測單元，所述外部偵測單元包括有TFT T7，所述TFT T7的柵極連接有行掃描信號RD，所述外部偵測單元還包括有sense線路，所述sense線路與TFT T7的源極相連，所述sense線路上設置有開關Spre、開關Sam，所述開關Spre上連接有外部信號Vref，所述開關Sam上連接有外部信號ADC。

2.如權利要求1所述的一種利于提升Q點充電率的GOA電路，其特征在于，該電路還包括有上拉控制單元、反饋單元、上拉單元、反相器單元、下拉單元、下拉維持單元，所述外部偵測單元、上拉控制單元、反饋單元、上拉單元、反相器單元連接形成公共端Q點，所述反相器單元、下拉維持單元連接形成公共端QB點，所述下拉維持單元、下拉單元連接形成公共端形成公共端N點。

3.如權利要求2所述的一種利于提升Q點充電率的GOA電路，其特征在于，所述上拉控制單元包括有TFT T1，所述TFT T1通過所述Q點與TFT T7的漏極相連，所述TFT T1的柵極連接有CK1信號線，且所述TFT T1上還連接有STV信號線。

4.如權利要求2所述的一種利于提升Q點充電率的GOA電路，其特征在于，所述反饋單元包括有TFT T6，所述TFT T6的柵極連接于所述Q點。

5.如權利要求2所述的一種利于提升Q點充電率的GOA電路，其特征在于，所述上拉單元還包括有TFT T22、TFT T21、電容Cb，所述電容Cb一端、TFT T22的柵極、TFT T21的柵極均連接于所述Q點，所述TFT T22的漏極、TFT T21的漏極連接形成的公共端連接有CK2信號線，所述電容Cb的另一端與TFT T21的源極連接形成的公共端與行掃描信號G0連接，所述TFT T22的源極連接有級傳信號Cout0。

6.如權利要求2所述的一種利于提升Q點充電率的GOA電路，其特征在于，所述反相器單元包括有TFT T51、TFT T52、TFT T53、TFT T54，所述TFT T54的柵極、TFT T52柵極連接于所述Q點，所述TFT T54的漏極、TFT T53源極連接于所述QB點，所述TFT T51的柵極、TFT T51的漏極、TFT T53的漏極連接形成的公共端連接有直流信號VGH。

7.如權利要求2所述的一種利于提升Q點充電率的GOA電路，其特征在于，所述下拉維持單元包括有TFT T41、TFT T42、TFT T43、TFT T44，所述TFT T41的柵極、TFT T42的柵極、TFTT43的柵極、TFT T44的柵極均連接于所述QB點，所述TFT T43的源極、TFT T44的漏極均連接于所述N點，所述TFT T41的漏極連接有行掃描信號G0，所述TFT T42的漏極連接有級傳信號Cout0，所述TFT T43的漏極連接于所述Q點。

8.如權利要求2所述的一種利于提升Q點充電率的GOA電路，其特征在于，所述下拉單元包括有TFT T31、TFT T32、TFT T33，所述TFT T32的源極、TFT T33的漏極均連接于所述N點，所述TFT T31的柵極、TFT T32的柵極、TFT T33的柵極連接形成的公共端連接有級傳信號Cout1。