[發(fā)明專利]高效重分布層拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202110642455.3
• 申請日: 2021-06-09
• 公開（公告）號: CN113782508A
• 公開（公告）日: 2021-12-10
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: V·S·斯里德哈蘭;C·D·曼納克;J·劉
• 申請（專利權(quán)）人: 德克薩斯儀器股份有限公司
• 主分類號: H01L23/488
• 分類號: H01L23/488;H01L23/31
• 代理公司: 北京紀(jì)凱知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11245
• 代理人: 徐東升

1.一種芯片級封裝即CSP，所述CSP包括：

半導(dǎo)體管芯；

鄰接所述半導(dǎo)體管芯的鈍化層；

延伸通過所述鈍化層的通孔；

鄰接所述通孔的第一金屬層；

鄰接所述第一金屬層的絕緣層，所述絕緣層具有小于32400平方微米的最大水平面積的孔口；和

鄰接所述絕緣層并適于耦合到焊球的第二金屬層，所述第二金屬層在由所述絕緣層中的所述孔口限定的接觸點(diǎn)處鄰接所述第一金屬層。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的CSP，其中：

所述鈍化層具有第一鈍化層表面和與所述第一鈍化層表面相對的第二鈍化層表面，

所述通孔具有第一通孔表面和與所述第一通孔表面相對的第二通孔表面，以及

所述第一鈍化層表面與所述第一通孔表面大致齊平，并且所述第二鈍化層表面與所述第二通孔表面大致齊平。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的CSP，其中所述最大水平面積小于350平方微米。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的CSP，其中所述最大水平面積小于80平方微米。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的CSP，所述CSP進(jìn)一步包括：

延伸通過所述鈍化層的第二通孔；和

鄰接所述第二通孔的第三金屬層，

其中所述絕緣層將所述第三金屬層與所述第一金屬層絕緣。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的CSP，所述CSP進(jìn)一步包括所述絕緣層中的第二孔口，所述第二孔口限定其中所述第三金屬層鄰接所述第二金屬層的第二接觸點(diǎn)。

7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的CSP，其中所述絕緣層將所述第三金屬層與所述第二金屬層絕緣。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的CSP，其中第一豎直平面穿過所述第一通孔和所述第二金屬層兩者，并且其中第二豎直平面穿過所述第二通孔和所述第二金屬層兩者。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的CSP，其中所述孔口具有從由圓形、橢圓形、長圓形和多邊形組成的組中選擇的水平橫截面形狀。

10.一種電子器件，所述電子器件包括：

印刷電路板即PCB；

耦合到所述PCB的焊球；和

耦合到所述焊球的芯片級封裝即CSP，所述CSP包括：

半導(dǎo)體管芯；

鄰接所述半導(dǎo)體管芯的鈍化層；

延伸通過所述鈍化層的第一通孔，所述第一通孔具有分別與所述鈍化層的第一表面和第二表面大致齊平的第一表面和第二表面；

延伸通過所述鈍化層的第二通孔，所述第二通孔具有分別與所述鈍化層的第一表面和第二表面大致齊平的第一表面和第二表面；

鄰接所述第一通孔的第一金屬層；

鄰接所述第一金屬層并具有第一孔口和第二孔口的絕緣層，所述第一孔口和第二孔口中的每個(gè)具有小于750平方微米的最大水平面積；

通過所述第一孔口鄰接所述第一金屬層的第二金屬層；和

鄰接所述第二通孔的第三金屬層，所述第二金屬層通過所述第二孔口鄰接所述第三金屬層，

其中所述第一通孔和第二通孔與所述第二金屬層豎直對準(zhǔn)。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的電子器件，其中所述鈍化層具有基本均勻的厚度。

12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的電子器件，其中所述鈍化層不鄰接所述第一通孔的所述第一表面和所述第二表面，并且其中所述鈍化層不鄰接所述第二通孔的所述第一表面和所述第二表面。

13.根據(jù)權(quán)利要求10所述的電子器件，其中所述第一孔口和第二孔口具有不同的形狀和大小。

14.根據(jù)權(quán)利要求10所述的電子器件，其中所述第一孔口和所述第二孔口中的每個(gè)具有250平方微米或更少的最大水平面積。