[發(fā)明專利]發(fā)光二極管結構、其形成方法和背光模塊在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202110641114.4 | 申請日： | 2021-06-09 |
| 公開（公告）號： | CN113394324A | 公開（公告）日： | 2021-09-14 |
| 發(fā)明（設計）人： | 謝毅勛 | 申請（專利權）人： | 友達光電股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/48 | 分類號： | H01L33/48;H01L33/50 |
| 代理公司： | 隆天知識產(chǎn)權代理有限公司 72003 | 代理人： | 聶慧荃;鄭特強 |
| 地址： | 中國臺*** | 國省代碼： | 臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 發(fā)光二極管 結構 形成 方法 背光 模塊 | ||
1.一種發(fā)光二極管結構，包括：
一底板；
一芯片，配置于該底板上；
一透光杯壁，配置于該底板上并圍繞該芯片；
一波長轉換層，在該透光杯壁之間覆蓋該芯片；及
一反射層，配置于該波長轉換層上，其中該反射層包括朝向該芯片凸出的一弧形底面。
2.如權利要求1所述的發(fā)光二極管結構，其中該透光杯壁的透光率在20％至100％的范圍內(nèi)。
3.如權利要求1所述的發(fā)光二極管結構，其中該透光杯壁的一內(nèi)壁和該底板之間具有一夾角在90度至170度的范圍內(nèi)。
4.如權利要求1所述的發(fā)光二極管結構，其中該反射層的該弧形底面至該反射層的一頂表面的厚度在30微米至100微米的范圍內(nèi)。
5.如權利要求1所述的發(fā)光二極管結構，其中該反射層接觸該透光杯壁，使得該波長轉換層不接觸外界。
6.如權利要求1所述的發(fā)光二極管結構，其中該發(fā)光二極管結構的發(fā)光角度在95度至175度的范圍內(nèi)。
7.一種背光模塊，包括：
一發(fā)光二極管結構，包括：
一底板；
一芯片，配置于該底板上；
一透光杯壁，配置于該底板上并圍繞該芯片；
一波長轉換層，在該透光杯壁之間覆蓋該芯片；及
一反射層，配置于該波長轉換層上，其中該反射層包括朝向該芯片凸出的一弧形底面；及
一光學層，配置于該發(fā)光二極管結構上。
8.一種形成發(fā)光二極管結構的方法，包括：
形成一透光杯壁在一底板上；
配置一芯片在該底板上，其中該透光杯壁圍繞該芯片；
連接一導線至該芯片；
形成一波長轉換層在該透光杯壁之間，其中該波長轉換層覆蓋該芯片，該波長轉換層包括中央凹陷的一頂表面；及
形成一反射層在該波長轉換層上并進行烘烤。
9.如權利要求8所述的形成發(fā)光二極管結構的方法，其中該波長轉換層的中央厚度和該波長轉換層的邊緣厚度的差值大于30微米。
10.如權利要求8所述的形成發(fā)光二極管結構的方法，其中該反射層包括平坦的一頂表面。
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