[發明專利]用于增強的爬電和間隙的封裝和引線框架設計

在審

• 申請號: 202110640924.8
• 申請日: 2021-06-09
• 公開（公告）號: CN113809033A
• 公開（公告）日: 2021-12-17
• 發明（設計）人: 顏臺棋;E·菲爾古特;李德森;王莉雙
• 申請（專利權）人: 英飛凌科技奧地利有限公司
• 主分類號: H01L23/495
• 分類號: H01L23/495;H01L23/60
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司 72002
• 代理人: 鄔少俊

一種引線框架，包括：管芯焊盤；兩條或更多條引線的行，兩條或更多條引線延伸遠離管芯焊盤的第一側；以及外圍結構，外圍結構被設置為與管芯焊盤相對并且連接至每一條引線。第一最外引線連續地連接到管芯焊盤。第二最外引線具有面向管芯焊盤并且與管芯焊盤間隔開的內部端部。第二引線在第二引線的中央跨度中的寬度大于第二引線在第二引線的內部跨度和外部跨度中的寬度，第二引線的內部跨度將第二引線的中央跨度與第二引線的內部端部分離，第二引線的外部跨度將第二引線的中央跨度與外圍結構分離。

技術領域

本申請涉及半導體封裝，并且更特別地，涉及用于分立器件封裝的引線框架設計。

背景技術

諸如MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管)或IGBT(絕緣柵極雙極型晶體管)的高壓半導體器件通常封裝在模制半導體封裝中，模制半導體封裝包括從包封主體突出的多條通孔配置的引線。這些類型的封裝的重要設計考慮包括爬電和間隙。爬電是指沿著兩條引線之間的隔離結構的表面(例如，包封主體的側壁)在兩條封裝引線之間的最短路徑。間隙是指兩條封裝引線之間在直線上的(例如，通過空氣)最短路徑。在容納大電壓差的兩條封裝引線之間，例如，在高壓MOSFET器件的源極引線與漏極引線之間，維持高爬電和間隙是特別重要的。然而，增加爬電和間隙與使半導體封裝盡可能小的總體期望沖突。此外，一些額定高電壓的半導體器件包括用于微調器件的操作以獲得最佳性能的附加端子。這些端子的示例包括源極感測端子、柵極端子、溫度感測端子等。這些附加端子需要另一封裝引線，因此影響了器件的電壓阻擋引線之間的最大可能的爬電和間隙。

發明內容

本領域技術人員在閱讀以下具體實施方式時并且在查看附圖時，將認識到附加的特征和優點。

公開一種引線框架。根據實施例，引線框架包括：管芯焊盤，管芯焊盤包括管芯附接表面；兩條或更多條引線的行，兩條或更多條引線延伸遠離管芯焊盤的第一側；以及外圍結構，外圍結構被設置為與管芯焊盤的第一側相對并且連接到來自兩條或更多條引線的行的每一條引線。行的第一最外引線連續地連接到管芯焊盤的第一側。行的第二最外引線包括面向管芯焊盤的第一側并且與管芯焊盤的第一側間隔開的內部端部。第二引線在第二引線的中央跨度中的寬度大于第二引線在第二引線的內部跨度中和在第二引線的外部跨度中的寬度，第二引線的內部跨度將第二引線的中央跨度與第二引線的內部端部分離，第二引線的外部跨度將第二引線的中央跨度與外圍結構分離。

單獨地或組合地，第二引線包括內邊緣側，內邊緣側面向第一引線并且從第二引線的內部端部延伸到外圍結構，第二引線的內邊緣側在第二引線的中央跨度中比在第二引線的內部跨度和外部跨度中更接近第一引線。

單獨地或組合地，在第二引線的中央跨度中，第二引線的內邊緣側包括中央邊緣以及第一成角度邊緣和第二成角度邊緣，并且，第二引線的中央邊緣是第二引線的最接近第一引線的表面。

單獨地或組合地，引線的行包括第三引線，第三引線緊鄰第二引線并且包括面向管芯焊盤的第一側并且與管芯焊盤的第一側間隔開的內部端部，第三引線包括設置在第三引線的內部跨度與外部跨度之間的成角度跨度，第三引線的內部跨度將成角度跨度與第三引線的內部端部分離，成角度跨度比第二引線的中央跨度設置為更接近管芯焊盤，并且，成角度跨度將第三引線移位遠離第二引線。

單獨地或組合地，第三引線在成角度跨度中的成角度寬度不大于第三引線在內部跨度中的寬度的1.5倍，成角度寬度是在垂直于第三引線在成角度跨度中的外邊緣側的方向上測量的。

單獨地或組合地，隨著從管芯焊盤朝向外圍結構移動，第一引線的寬度遞增地逐漸變細。

單獨地或組合地，第一引線包括內部跨度、中央跨度和外部跨度，第一引線的內部跨度將第一引線的中央跨度與管芯焊盤分離，第一引線的外部跨度將第一引線的中央跨度與第一引線的遠端部分離，第一引線的內部跨度比第一引線的中央跨度寬，并且，第一引線的中央跨度比第一引線的外部跨度寬。