[發明專利]納米硅化物增強難熔高熵合金及其制備方法

有效

• 申請號: 202110640600.4
• 申請日: 2021-06-09
• 公開（公告）號: CN113373365B
• 公開（公告）日: 2022-06-28
• 發明（設計）人: 程興旺;徐子祁;談燕;馬兆龍
• 申請（專利權）人: 北京理工大學
• 主分類號: C22C30/00
• 分類號: C22C30/00;C21D8/02;C22F1/00
• 代理公司: 北京正陽理工知識產權代理事務所(普通合伙) 11639
• 代理人: 鄔曉楠

1.一種納米硅化物增強難熔高熵合金，其特征在于：經過軋制及熱處理后，合金由細晶組織的BCC相和納米級的M5Si3相組成；

一種納米硅化物增強難熔高熵合金材料包括V、Nb、Ti、Ta、Si五種元素組成VNbTiTaSi系合金，各元素的原子百分比范圍為：20％≤V≤30％，20％≤Nb≤40％，20％≤Ti≤40％，0≤Ta≤30％，0＜Si≤2％；在鑄態條件下該合金表現為單相BCC結構；經過軋制及熱處理后，合金由細晶組織的BCC相和納米級的M5Si3相組成；

制備所述的納米硅化物增強難熔高熵合金材料，包括以下步驟：

步驟一、將V、Nb、Ti、Ta、Si制備成鑄態高熵合金；將鑄態高熵合金切成長為lmm，寬為wmm，厚度為hmm的長條，然后利用冷軋機進行軋制，獲得變形量為x；其中l≥5，w≥5，h≥5；50％≤x≤95％；

步驟二、將軋制后的高熵合金用充滿氬氣的石英管封好；

步驟三、將高熵合金在800℃～1000℃下等溫加熱0.5h～50h，之后水冷獲得具有納米M5Si3相的高強高韌難熔高熵合金。