[發明專利]單晶硅異質結太陽能電池和太陽能電池的制作方法

在審

• 申請號: 202110637123.6
• 申請日: 2021-06-08
• 公開（公告）號: CN113380902A
• 公開（公告）日: 2021-09-10
• 發明（設計）人: 左國軍;宋廣華
• 申請（專利權）人: 常州捷佳創精密機械有限公司
• 主分類號: H01L31/0216
• 分類號: H01L31/0216;H01L31/072;H01L31/18
• 代理公司: 北京友聯知識產權代理事務所(普通合伙) 11343
• 代理人: 尚志峰;王淑梅

1.一種單晶硅異質結太陽能電池，其特征在于，包括：

由內至外依次設置的基材、透明導電氧化物層和種子層，所述種子層作為柵線電極圖案；

導電層，設于所述種子層上，作為與所述電極圖案對應的電極；

其中，所述種子層的擴散能力低于所述導電層的擴散能力，用于阻止其上的所述導電層擴散至所述透明導電氧化物層。

2.根據權利要求1所述的單晶硅異質結太陽能電池，其特征在于，所述導電層包括：

銅層，設于所述種子層上；所述種子層的成分包括以下中的至少一種：

鎳或鎳合金、鈦或鈦合金、鈦鎢合金，及銀或銀銅合金。

3.根據權利要求2所述的單晶硅異質結太陽能電池，其特征在于，還包括：

非導電介質膜層，設于所述透明導電氧化物層上，所述非導電介質膜層覆蓋所述透明導電氧化物層和所述種子層；

其中，所述非導電介質膜層的成分包括以下中的至少一種：

氧化硅、氮化硅、氧化鋁。

4.根據權利要求3所述的單晶硅異質結太陽能電池，其特征在于，所述種子層對應的所述非導電介質膜層上設有使所述種子層裸露的開口；

所述銅層設于所述開口中。

5.根據權利要求4所述的單晶硅異質結太陽能電池，其特征在于，

所述開口的寬度小于所述種子層的寬度；

一部分所述銅層嵌設于所述開口中，其余部分所述銅層的寬度不小于所述開口的寬度，且不大于所述種子層的寬度。

6.根據權利要求3所述的單晶硅異質結太陽能電池，其特征在于，所述非導電介質膜層的厚度范圍為：大于等于且小于等于

7.根據權利要求2所述的單晶硅異質結太陽能電池，其特征在于，所述導電層還包括：

錫層，設于所述非導電介質膜層上且覆蓋所述銅層；

其中，所述錫層的厚度范圍為：大于等于1um且小于等于3um。

8.根據權利要求2至7中任一項所述的單晶硅異質結太陽能電池，其特征在于，

所述種子層的厚度范圍為：大于等于2um且小于等于10um；

所述銅層的厚度范圍為：大于等于5um且小于等于15um。

9.根據權利要求1至7中任一項所述的單晶硅異質結太陽能電池，其特征在于，所述基材包括：

硅基片；

非晶硅疊層，設于所述硅基片上，位于所述硅基片和所述透明導電氧化物層之間。

10.一種單晶硅異質結太陽能電池的制作方法，用于制作如權利要求1至9中任一項所述的單晶硅異質結太陽能電池，其特征在于，包括：

在基材上形成透明導電氧化物層；

在所述透明導電氧化物層上印刷種子層，作為柵線電極圖案；

在所述透明導電氧化物層和所述種子層上沉積非導電介質膜層；

在所述非導電介質膜層上開口，以使至少部分所述種子層裸露；

在所述開口處鍍銅，以形成填充所述開口的銅層；

形成覆蓋所述銅層的錫層，作為與所述電極圖案對應的電極，以得到所述單晶硅異質結太陽能電池。