[發明專利]應用壓電效應的太陽能電池、電池組件和電池制作方法

在審

• 申請號: 202110636374.2
• 申請日: 2021-06-08
• 公開（公告）號: CN113327998A
• 公開（公告）日: 2021-08-31
• 發明（設計）人: 楊浩成;陳剛
• 申請（專利權）人: 浙江愛旭太陽能科技有限公司;珠海富山愛旭太陽能科技有限公司;廣東愛旭科技有限公司;天津愛旭太陽能科技有限公司
• 主分類號: H01L31/0747
• 分類號: H01L31/0747;H01L31/0352;H01L31/20
• 代理公司: 深圳盛德大業知識產權代理事務所(普通合伙) 44333
• 代理人: 賈振勇

1.一種應用壓電效應的太陽能電池，其特征在于，由上至下依次設有空穴傳輸層、底電池片和電子傳輸層，所述太陽能電池還包括設置在所述空穴傳輸層與所述底電池片之間的壓電層。

2.根據權利要求1所述的應用壓電效應的太陽能電池，其特征在于，所述壓電層包括鈦酸鋇、鋯鈦酸鉛、改性鋯鈦酸鉛、偏鈮酸鉛、鈮酸鉛鋇鋰、改性鈦酸鉛中的一種或多種。

3.根據權利要求2所述的應用壓電效應的太陽能電池，其特征在于，所述壓電層由鈦酸鋇組成。

4.根據權利要求1所述的應用壓電效應的太陽能電池，其特征在于，所述壓電層包裹在異質結的外側。

5.根據權利要求1所述的應用壓電效應的太陽能電池，其特征在于，所述壓電層的厚度范圍為2nm-20nm。

6.根據權利要求1-5任一項所述的應用壓電效應的太陽能電池，其特征在于，所述太陽能電池還包括第一透明導電層和第二透明導電層，所述第一透明導電層設置在所述空穴傳輸層的上方，所述第二透明導電層設置在所述電子傳輸層的下方。

7.根據權利要求6所述的應用壓電效應的太陽能電池，其特征在于，所述太陽能電池還包括第一本征非晶硅層和第二本征非晶硅層，所述第一本征非晶硅層設置在所述空穴傳輸層和所述壓電層之間，所述第二本征非晶硅層設置在所述電子傳輸層的上方。

8.根據權利要求7所述的應用壓電效應的太陽能電池，其特征在于，所述空穴傳輸層為P型非晶硅層，所述電子傳輸層為N型單晶硅層。

9.一種太陽能電池組件，其特征在于，包括如權利要求1-8任一項所述的太陽能電池。

10.一種太陽能電池制作方法，其特征在于，用于制作如權利要求1-8任一項所述的太陽能電池，所述制作方法包括以下步驟：

制作底電池片；

通過PVD鍍膜方式在所述底電池片上沉積所述壓電層；

分別通過CVD鍍膜方式和PVD鍍膜方式在已沉積所述壓電層的所述底電池片上沉積所述電子傳輸層、所述空穴傳輸層和所述第一透明導電層。

11.根據權利要求10所述的太陽能電池制作方法，其特征在于，在PVD鍍膜過程中，選取靶材BTO純度大于或等于4N，打靶總功率控制在8KW-15KW范圍內，分別通入由100％的Ar組成的特氣、由95％的Ar和5％的H₂組成的特氣以及由85％的Ar和15％的O₂組成的特氣，氣體共流量控制在500sccm-700sccm范圍內，硅片工藝溫度控制在150℃-180℃范圍內。