[發明專利]一種超高真空系統下的制冷型NEA GaN電子源組件結構在審
| 申請號： | 202110635030.X | 申請日： | 2021-06-08 |
| 公開（公告）號： | CN113488443A | 公開（公告）日： | 2021-10-08 |
| 發明（設計）人： | 王曉暉;張依辰;全卓藝;李嘉璐 | 申請（專利權）人： | 電子科技大學 |
| 主分類號： | H01L23/38 | 分類號： | H01L23/38;H01L35/28;H01L35/34 |
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| 地址： | 611731 四川省成*** | 國省代碼： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 超高 真空 系統 制冷 nea gan 電子 組件 結構 | ||
1.一種超高真空系統下的制冷型NEA GaN電子源組件結構，其特征在于，所述裝置包括NEA GaN電子源，半導體制冷片，控制系統，溫度反饋組件(熱電偶)；所述控制系統通過導線連接半導體制冷片，并且使用法蘭和銅墊圈加以密封；所述半導體制冷片通過銦焊與NEAGaN電子源相連，在超高真空中能增加半導體晶片和GaN材料之間的熱傳導；所述熱電偶貼合在NEA GaN電子源上；所述NEA GaN電子源與半導體制冷片和熱電偶相連接。
2.如權利要求1所述的一種超高真空系統下的制冷型NEA GaN電子源組件結構，其特征在于，所述結構具有半導體制冷片，可以吸熱使NEA GaN電子源溫度下降。
3.如權利要求2所述的一種超高真空系統下的制冷型NEA GaN電子源組件結構，其特征在于，所述NEA GaN電子源上焊接了半導體制冷片。
4.如權利要求1所述的一種超高真空系統下的制冷型NEA GaN電子源組件結構，其特征在于，所述熱電偶通過焊接的方式與NEA GaN電子源貼合連接。
5.如權利要求1所述的一種超高真空系統下的制冷型NEA GaN電子源組件結構，其特征在于，所述控制系統通過導線與半導體制冷片相連，改變電流大小來控制半導體制冷片。
6.如權利要求1所述的一種超高真空系統下的制冷型NEA GaN電子源組件結構，其特征在于，所述裝置工作功率范圍為5W至100W。
7.如權利要求1所述的一種超高真空系統下的制冷型NEA GaN電子源組件結構，其特征在于，所述半導體制冷片在NEA GaN電子源開始工作之前先開啟，但工作電流不大。
8.如權利要求1所述的一種超高真空系統下的制冷型NEA GaN電子源組件結構，其特征在于，當熱電偶檢測到NEA GaN電子源溫度超過40℃時，加大通往半導體制冷片的工作電流。
9.如權利要求1所述的一種超高真空系統下的制冷型NEA GaN電子源組件結構，其特征在于，當熱電偶檢測到NEA GaN電子源溫度低于10℃時，緩慢減小通往半導體制冷片的工作電流。
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