[發明專利]一種適用于高溫高壓純氫氣環境的釤鈷永磁體的制備方法

有效

• 申請號: 202110634464.8
• 申請日: 2021-06-07
• 公開（公告）號: CN113451038B
• 公開（公告）日: 2023-05-02
• 發明（設計）人: 趙宇;徐道兵;樊金奎;王棟;雷建;卓宇
• 申請（專利權）人: 杭州永磁集團有限公司
• 主分類號: H01F41/02
• 分類號: H01F41/02
• 代理公司: 杭州杭誠專利事務所有限公司 33109
• 代理人: 俞潤體

1.一種釤鈷永磁體的制備方法，其特征在于包含以下步驟：

（1）按元素配比配料后將原料在惰性環境下熔煉得到合金鑄錠或鑄片；

（2）將所得鑄錠或鑄片在通氮氣條件下破碎處理，隨后在惰性環境下經氣流磨制得釤鈷粉體；

（3）將所得釤鈷粉體在惰性環境及磁場中取向成型，然后冷等靜壓，得到釤鈷磁體生坯；

（4）將釤鈷磁體生坯在惰性環境下燒結及固溶處理，得到燒結釤鈷磁體毛坯，隨后在惰性環境下時效處理得到釤鈷磁體；

（5）對釤鈷磁體表面清潔處理，采用磁控濺射鍍膜設備在釤鈷磁體表面依次鍍含Ni、Cu和NiCu合金中的一種或多種的基體鍍層、AlCrZnN鍍層和DyNiAl鍍層；AlCrZnN鍍層的厚度為6-15μm，AlCrZnN鍍層中AlZn的含量為45-55wt%；DyNiAl鍍層的厚度為4-8μm，DyNiAl鍍層中的Dy的含量為0.05-0.1wt%。

2.如權利要求1所述的制備方法，其特征在于，步驟（1）中，按Sm(Co_1-x-y-vFe_xCu_yZr_v)_z進行配料，其中x=0.18~0.26，y=0.14~0.2，v=0.01~0.03，z=7.0~7.5；z為過渡族元素Co、Fe、Cu、Zr與稀土元素Sm的原子比。

3.如權利要求1所述的制備方法，其特征在于，步驟（2）中，所述釤鈷粉體的粒度為3.8-4.5μm。

4.如權利要求1所述的制備方法，其特征在于，步驟（3）中，所述磁場的磁場強度為1-5T，所述冷等靜壓的壓力為180-230MPa。

5.如權利要求1所述的制備方法，其特征在于，步驟（4）中，

所述燒結的溫度為1170-1230?℃，時間為1～5?h；

所述固溶的溫度1165～1195?℃，時間為2～5?h，固溶后快冷至室溫；

所述時效的過程為在800～850?℃保溫5～40?h，隨后以0.5～1?℃/min降溫至400～500?℃，保溫5～20?h，然后風冷或隨爐自然冷卻至常溫。

6.如權利要求1所述的制備方法，其特征在于，步驟（1）-（4）中，所述惰性環境為氬氣環境。

7.如權利要求1所述的制備方法，其特征在于，步驟（5）中，所述基體鍍層的厚度為2-6μm。

8.如權利要求1所述的制備方法，其特征在于，步驟（5）中，所述表面清潔處理包括酸洗處理和/或磷化處理。