[發明專利]一種混晶相鈮摻雜二氧化鈦納米管陣列光陽極的制備方法在審
| 申請號： | 202110632720.X | 申請日： | 2021-06-07 |
| 公開（公告）號： | CN113355694A | 公開（公告）日： | 2021-09-07 |
| 發明（設計）人： | 董振標;蔡義強;馬俊杰 | 申請（專利權）人： | 上海應用技術大學 |
| 主分類號： | C25B11/091 | 分類號： | C25B11/091;C25D11/26;C25B1/04;C25B1/55;B82Y40/00;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 上海漢聲知識產權代理有限公司 31236 | 代理人： | 胡晶 |
| 地址： | 200235 上海*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 混晶相鈮 摻雜 氧化 納米 陣列 陽極 制備 方法 | ||
1.一種混晶相鈮摻雜二氧化鈦納米管陣列光陽極的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：Ti-Nb合金經陽極氧化后再進行晶化處理，即得混晶相鈮摻雜二氧化鈦納米管陣列光陽極；其中，所得混晶相鈮摻雜二氧化鈦納米管陣列光陽極的相結構為包括銳鈦礦晶型結構和金紅石晶型結構的混晶相。
2.根據權利要求1所述的混晶相鈮摻雜二氧化鈦納米管陣列光陽極的制備方法，其特征在于，所述Ti-Nb合金通過真空電弧爐熔煉制得。
3.根據權利要求1所述的混晶相鈮摻雜二氧化鈦納米管陣列光陽極的制備方法，其特征在于，所述Ti-Nb合金中Nb的質量分數為0.5％～3％。
4.根據權利要求1所述的混晶相鈮摻雜二氧化鈦納米管陣列光陽極的制備方法，其特征在于，所述陽極氧化具體包括以下步驟：將Ti-Nb合金作為陽極，石墨板作為陰極，以0.4wt％NH4F和2vol％H2O的乙二醇混合溶液作為電解液，在直流電壓為40V的條件下氧化0.5～2h。
5.根據權利要求1所述的混晶相鈮摻雜二氧化鈦納米管陣列光陽極的制備方法，其特征在于，所述Ti-Nb合金通過氧化鋁水砂紙打磨至表面無劃痕，然后依次用丙酮、無水乙醇、去離子水清洗后再進行陽極氧化。
6.根據權利要求1所述的混晶相鈮摻雜二氧化鈦納米管陣列光陽極的制備方法，其特征在于，所述Ti-Nb合金經陽極氧化后通過去離子水將表面殘留雜質清洗干凈、N2氣流吹干干燥，然后再進行晶化處理。
7.根據權利要求1所述的混晶相鈮摻雜二氧化鈦納米管陣列光陽極的制備方法，其特征在于，所述晶化處理具體包括以下步驟：將陽極氧化處理后的Ti-Nb合金在525℃～575℃下煅燒1～2.5h，隨爐冷卻即得混晶相鈮摻雜二氧化鈦納米管陣列光陽極。
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