[發(fā)明專利]一種碘酸磷酸鈰二階非線性光學晶體材料及其制備與在激光頻率轉化中的應用

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202110631456.8
• 申請日: 2021-06-07
• 公開（公告）號: CN113481600B
• 公開（公告）日: 2022-09-06
• 發(fā)明（設計）人: 張弛;林霖;吳超
• 申請（專利權）人: 同濟大學
• 主分類號: C30B29/14
• 分類號: C30B29/14;C30B7/10;G02F1/355
• 代理公司: 上海科盛知識產權代理有限公司 31225
• 代理人: 劉燕武

1.一種碘酸磷酸鈰二階非線性光學晶體材料，其特征在于，其化學式為Ce(IO₃)₂(H₂PO₄)₂；

該晶體材料屬于正交晶系，其空間群為Pna2₁，晶胞參數(shù)為a = 6.91~6.92 ?，b = 25.53~25.55 ?，c = 6.93~6.94 ?，α = β = γ = 90°，Z = 4，晶胞體積為V = 1222.5~1227.1?³。

2.如權利要求1所述的一種碘酸磷酸鈰二階非線性光學晶體材料的制備方法，其特征在于，先取鈰源、碘源、磷酸和水混合后，得到初始混合料，再在水熱條件下晶化，即得到目的產物。

3.根據(jù)權利要求2所述的一種碘酸磷酸鈰二階非線性光學晶體材料的制備方法，其特征在于，初始混合料中，鈰元素、碘元素、磷酸和水的添加比例為1mmol：（0.5~15）mmol：（0.5~6）mL：（0~5）mL。

4.根據(jù)權利要求2所述的一種碘酸磷酸鈰二階非線性光學晶體材料的制備方法，其特征在于，所述的鈰源為二氧化鈰、硝酸高鈰或硝酸鈰；

所述的碘源為高碘酸、碘酸或五氧化二碘。

5.根據(jù)權利要求2所述的一種碘酸磷酸鈰二階非線性光學晶體材料的制備方法，其特征在于，水熱條件的溫度為140-200℃，晶化時間不少于24h。

6.根據(jù)權利要求2所述的一種碘酸磷酸鈰二階非線性光學晶體材料的制備方法，其特征在于，晶化完成后，所得產物以0.5~10℃/h的降溫速率降至室溫，再過濾清洗后，即得到目的產物。

7.根據(jù)權利要求2所述的一種碘酸磷酸鈰二階非線性光學晶體材料的制備方法，其特征在于，晶化過程在密閉反應釜內進行。

8.如權利要求1所述的一種碘酸磷酸鈰二階非線性光學晶體材料的應用，其特征在于，該晶體材料用于激光頻率轉換。

9.根據(jù)權利要求8所述的一種碘酸磷酸鈰二階非線性光學晶體材料的應用，其特征在于，該晶體材料用于可見和中遠紅外激光變頻輸出。