[發明專利]一種GaN-HEMT器件上傾角結構的制備方法在審
| 申請號： | 202110631236.5 | 申請日： | 2021-06-07 |
| 公開（公告）號： | CN113314416A | 公開（公告）日： | 2021-08-27 |
| 發明（設計）人： | 劉勝北 | 申請（專利權）人： | 上海新微半導體有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/335 | 分類號： | H01L21/335;H01L29/778 |
| 代理公司： | 北京品源專利代理有限公司 11332 | 代理人： | 鞏克棟 |
| 地址： | 201306 上海市浦東新區中國（上*** | 國省代碼： | 上海;31 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 gan hemt 器件 傾角 結構 制備 方法 | ||
1.一種GaN-HEMT器件上傾角結構的制備方法，其特征在于，所述制備方法包括如下步驟：
(1)在GaN-HEMT外延結構晶圓的表面依次生長第一SiN層、多晶硅層、二氧化硅層與第二SiN層；
(2)光刻開口，依次刻蝕第二SiN層、二氧化硅層與多晶硅層，以形成一深溝槽，使多晶硅層的側壁暴露；
(3)氧化處理光刻開口后的GaN-HEMT，使多晶硅層形成傾角結構；
(4)刻蝕去除所述第二SiN層與二氧化硅層；
(5)刻蝕處理多晶硅層及第一SiN層，使多晶硅層的傾角結構形貌轉移至第一SiN層。
2.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，步驟(1)所述生長第一SiN層、多晶硅層、二氧化硅層與第二SiN層的方法包括化學氣相沉積、原子層沉積、濺射或氧化生長中的任意一種或至少兩種的組合。
3.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，步驟(2)所述刻蝕為：使用光刻膠做掩膜，通過干法刻蝕依次刻蝕第二SiN層、二氧化硅層與多晶硅層，然后去除光刻膠掩膜。
4.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，步驟(3)所述氧化處理包括干氧氧化和/或濕氧氧化。
5.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，步驟(4)所述刻蝕去除的方法包括濕法腐蝕和/或干法刻蝕。
6.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，步驟(5)所述刻蝕處理的方法包括干法刻蝕。
7.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，步驟(1)所述具有GaN-HEMT外延結構晶圓包括層疊設置的襯底、GaN外延層與勢壘層；
所述勢壘層的材料包括AlGaN、InGaN或InAlGaN中的任意一種或至少兩種的組合。
8.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述制備方法還包括步驟(5)之后的步驟(6)：刻蝕勢壘層與具有傾角結構的第一SiN層，實現傾角柵結構的制備。
9.根據權利要8所述的制備方法，其特征在于，步驟(6)所述刻蝕的方法包括干法刻蝕。
10.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述制備方法包括如下步驟：
(1)在具有GaN-HEMT外延結構晶圓的表面依次生長第一SiN層、多晶硅層、二氧化硅層與第二SiN層；
(2)光刻開口，依次刻蝕第二SiN層、二氧化硅層與多晶硅層，以形成一深溝槽，使多晶硅層的側壁暴露；所述刻蝕為使用光刻膠做掩膜，通過干法刻蝕依次刻蝕第二SiN層、二氧化硅層與多晶硅層，然后去除光刻膠掩膜；
(3)氧化處理光刻開口后的GaN-HEMT，使多晶硅層形成傾角結構；
(4)刻蝕去除所述第二SiN層與二氧化硅層；所述刻蝕去除的方法包括濕法腐蝕和/或干法刻蝕；
(5)干法刻蝕處理多晶硅層及第一SiN層使多晶硅層的傾角結構形貌轉移至第一SiN層；
(6)干法刻蝕勢壘層與具有傾角結構的第一SiN層，實現傾角柵結構的制備。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于上海新微半導體有限公司，未經上海新微半導體有限公司許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/202110631236.5/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
