[發(fā)明專利]像素結(jié)構(gòu)、顯示設(shè)備以及制造該像素結(jié)構(gòu)的方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202110630772.3
• 申請日: 2017-07-11
• 公開（公告）號: CN113436545B
• 公開（公告）日: 2023-06-02
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 金大賢;任鉉德;趙顯敏;姜鐘赫;洪性珍;李周悅;曹治烏
• 申請（專利權(quán)）人: 三星顯示有限公司
• 主分類號: G09F9/33
• 分類號: G09F9/33
• 代理公司: 北京銘碩知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11286
• 代理人: 張曉;韓芳

提供了一種顯示設(shè)備的像素結(jié)構(gòu)、一種包括像素結(jié)構(gòu)的顯示設(shè)備以及一種用于制造像素結(jié)構(gòu)的方法。該顯示設(shè)備的像素結(jié)構(gòu)包括電極線、至少一個超小型發(fā)光二極管和連接電極。電極線包括在基體基底上與第一電極分離并且與第一電極位于同一水平處的第二電極。至少一個超小型發(fā)光二極管位于基體基底上，并且具有比第一電極與第二電極之間的距離小的長度。連接電極包括將第一電極連接到超小型發(fā)光二極管的第一接觸電極和將第二電極連接到超小型發(fā)光二極管的第二接觸電極。

本申請是申請日為2017年7月11日、申請?zhí)枮?01710560211.4、題為“像素結(jié)構(gòu)、顯示設(shè)備以及制造該像素結(jié)構(gòu)的方法”的發(fā)明專利申請的分案申請。

技術(shù)領(lǐng)域

在此描述的一個或更多個實施例涉及一種像素結(jié)構(gòu)、一種包括像素結(jié)構(gòu)的顯示設(shè)備以及一種用于制造像素結(jié)構(gòu)的方法。

背景技術(shù)

發(fā)光二極管(LED)具有高的光轉(zhuǎn)換效率、極低的功耗、半永久壽命，并且是生態(tài)友好器件。因此，LED用于交通燈、移動電話、車輛的前燈、戶外電子顯示器、背光單元、室內(nèi)照明和其它應(yīng)用。

當(dāng)用于顯示器時，LED連接到電極以接收電源。在建立該連接方面，已經(jīng)嘗試布置并且減少由電極所占用的空間。一種嘗試涉及在電極上直接生長LED。另一種嘗試涉及在獨立地且單獨地生長LED之后將LED安置到電極上。在后一種情況下，如果LED是一般的發(fā)光元件，那么可以通過將3D發(fā)光元件安置在豎直位置中來使三維(3D)的發(fā)光元件連接到電極。然而，當(dāng)LED是具有納米尺寸或微尺寸的超小型發(fā)光元件時，該連接會是困難的。

發(fā)明內(nèi)容

一個或更多個實施例包括像素結(jié)構(gòu)、包括該像素結(jié)構(gòu)的顯示設(shè)備以及制造該像素結(jié)構(gòu)的方法，該像素結(jié)構(gòu)被構(gòu)造為防止在排列超小型發(fā)光二極管的工藝中對超小型發(fā)光二極管的損壞，并且增大朝向超小型發(fā)光二極管的前面發(fā)射的光的效率。

一個或更多個實施例包括像素結(jié)構(gòu)、包括該像素結(jié)構(gòu)的顯示設(shè)備以及制造該像素結(jié)構(gòu)的方法，該像素結(jié)構(gòu)被構(gòu)造為防止超小型發(fā)光二極管在排列超小型發(fā)光二極管的工藝中偏移至某一區(qū)，并且增大朝向超小型發(fā)光二極管的前面發(fā)射的光的效率。

附加的方面將在下面的描述中部分地進行闡述，且部分地將通過描述而明顯，或者可以通過本實施例的實踐而了解。

根據(jù)一個或更多個實施例，一種顯示設(shè)備的像素結(jié)構(gòu)包括：電極線，包括在基體基底上與第一電極分離并且與第一電極位于同一水平處的第二電極；至少一個超小型發(fā)光二極管，位于基體基底上并且具有比第一電極與第二電極之間的距離小的長度；連接電極，包括將第一電極連接到超小型發(fā)光二極管的第一接觸電極和將第二電極連接到超小型發(fā)光二極管的第二接觸電極。

第一接觸電極和第二接觸電極可以是透明電極。第一電極和第二電極中的至少一個的面對超小型發(fā)光二極管的表面可以是反射將從超小型發(fā)光二極管發(fā)射的光的反射表面。第一電極和第二電極中的每個可以具有比超小型發(fā)光二極管的厚度大的厚度。反射表面的相對于基體基底的角可以小于90度。

超小型發(fā)光二極管可以包括：第一電極層和第二電極層，位于超小型發(fā)光二極管的各個端部上；第一半導(dǎo)體層和第二半導(dǎo)體層，位于第一電極層與第二電極層之間；第一活性層，位于第一半導(dǎo)體層與第二半導(dǎo)體層之間，其中，第一電極層和第二電極層是透明電極。第一電極和第二電極中的每個可以包括在第一方向上延伸的主電極和在與第一方向交叉的第二方向上從主電極延伸的指狀電極。

指狀電極的面對超小型發(fā)光二極管表面可以是反射光的反射表面。指狀電極可以經(jīng)由第一接觸電極和第二接觸電極中的至少一個電連接到超小型發(fā)光二極管。像素結(jié)構(gòu)可以包括在第一電極和第二電極的外側(cè)上的壩結(jié)構(gòu)，壩結(jié)構(gòu)可以具有比第一電極和第二電極中的每個的厚度大的厚度。像素結(jié)構(gòu)可以包括電連接到第一電極的驅(qū)動晶體管和電連接到第二電極的電源線。