[發明專利]一種基于可重構電感的雙頻段低噪聲放大器

在審

• 申請號: 202110630712.1
• 申請日: 2021-06-07
• 公開（公告）號: CN113381713A
• 公開（公告）日: 2021-09-10
• 發明（設計）人: 何進;潘俊仁;曹慶珊;張惟;鄧冬琴
• 申請（專利權）人: 武漢大學
• 主分類號: H03F3/45
• 分類號: H03F3/45;H03F3/193;H03F1/56
• 代理公司: 武漢科皓知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 42222
• 代理人: 彭艷君

1.一種基于可重構電感的雙頻段低噪聲放大器，其特征在于：包括依次連接的可重構輸入匹配網絡、放大電路、可重構輸出匹配網絡；還包括射頻輸入端、射頻輸出端、控制電壓端(VS)、電源端(VDD)和地線端(GND)；可重構輸入匹配網絡和可重構輸出匹配網絡分別連接射頻輸入端和射頻輸出端。

2.根據權利要求1所述基于可重構電感的雙頻段低噪聲放大器，其特征在于：可重構輸入匹配網絡包括第一可重構電感(Lrec1)、第一電容(C1)、第一控制開關晶體管(Msw1)以及第一大電阻(Rsw1)；可重構輸入匹配網絡輸入端為單端射頻輸入信號(RFin)，輸出端連接放大電路。

3.根據權利要求2所述基于可重構電感的雙頻段低噪聲放大器，其特征在于：可重構輸出匹配網絡包括第二可重構電感(Lrec2)、第四電容(C4)、第二控制開關晶體管(Msw2)以及第二大電阻(Rsw2)；可重構輸出匹配網絡輸入端連接放大電路輸出端，輸出端為單端射頻輸出信號(RFout)。

4.根據權利要求3所述基于可重構電感的雙頻段低噪聲放大器，其特征在于：放大電路包括三級放大器，第一級放大器包括按共源共柵方式連接的第一MOS晶體管(M1)、第二MOS晶體管(M2)，共源管第一MOS晶體管(M1)源級連接源級退化電感(LS)，共柵管第二MOS晶體管(M2)漏極連接第一負載電感(LD1)；第二級放大器包括按共源共柵方式連接的第三MOS晶體管(M3)、第四MOS晶體管(M4)，共柵管第四MOS晶體管(M4)漏級連接第二負載電感(LD2)；第三級放大器包括按共源共柵方式連接的第五MOS晶體管(M5)、第六MOS晶體管(M6)，共柵管第六MOS晶體管(M6)漏級連接第二可重構電感(Lrec2)；放大電路輸入端連接可重構輸入匹配網絡輸出端，輸出端連接可重構輸出匹配網絡輸入端；

放大電路與可重構輸入匹配網絡通過第一電容(C1)耦合，第一級和第二級放大器之間通過第二電容(C2)耦合，第二級和第三級放大器之間通過第三電容(C3)耦合；放大電路和可重構輸出匹配網絡通過第四電容(C4)耦合。

5.根據權利要求2-4任意一項所述基于可重構電感的雙頻段低噪聲放大器，其特征在于：第一可重構電感(Lrec1)、第二可重構電感(Lrec2)均采用55nm CMOS工藝金屬互連線設計，利用工藝中最頂層金屬作為頂層原電感線圈，第二層金屬作為次級耦合線圈；源級退化電感(LS)、第一負載電感(LD1)、第二負載電感(LD2)均采用55nm CMOS工藝頂層金屬互連線設計。