[發明專利]集成電路、存儲器電路、用于形成集成電路的方法以及用于形成存儲器電路的方法

在審

• 申請號: 202110629317.1
• 申請日: 2021-06-04
• 公開（公告）號: CN114334835A
• 公開（公告）日: 2022-04-12
• 發明（設計）人: V·奈爾;S·博爾薩里;R·L·邁耶;R·A·本森;李宜芳
• 申請（專利權）人: 美光科技公司
• 主分類號: H01L21/8242
• 分類號: H01L21/8242;H01L27/108
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 王艷嬌

1.一種用于形成集成電路系統的方法，其包括：

在襯底上方形成導電材料；

將所述導電材料圖案化成水平地縱向拉長的導電線；

使所述導電材料豎直凹入于所述導電線的縱向間隔開的第一區中以形成分別處于個別縱向間隔開的第二區中的縱向間隔開的導電柱，所述縱向間隔開的第二區沿著所述導電線與所述縱向間隔開的第一區縱向交替，所述導電柱相對于所述導電線的所述縱向間隔開并且豎直凹入的第一區中的所述導電材料而豎直突出；和

在所述導電柱正上方形成電子組件，所述個別電子組件直接電耦合到所述個別導電柱。

2.根據權利要求1所述的方法，其中所述導電線的所述導電柱的所述導電材料、所述導電柱下方的所述導電線的所述導電材料以及所述縱向間隔開的第一區中的所述導電線的所述導電材料具有相對彼此相同的組合物。

3.根據權利要求1所述的方法，其中所述豎直凹入在所述導電線的所述縱向間隔開的第一區上方形成空隙空間，所述空隙空間縱向處于所述導電柱中縱向緊鄰的導電柱之間；且

所述方法另外包括：

用第一絕緣材料為所述空隙空間的側壁加襯，所述第一絕緣材料未填滿所述空隙空間；和

用與所述第一絕緣材料具有不同組合物的第二絕緣材料填充所述空隙空間的剩余體積。

4.根據權利要求1所述的方法，其中，

所述圖案化形成相對彼此橫向間隔開的多個所述導電線；且

所述豎直凹入、所述縱向間隔開導電柱的所述形成以及所述電子組件的所述形成相對于所述多個所述導電線發生。

5.根據權利要求4所述的方法，其包括在形成所述導電柱之前用絕緣材料填充橫向處于所述導電線中的緊鄰導電線之間的空間，所述空間在所述形成所述導電柱期間在其中具有所述絕緣材料。

6.根據權利要求5所述的方法，其中所述豎直凹入使所述縱向間隔開的第一區中的所述導電線的所述導電材料的頂部形成為低于橫向處于所述導電線之間的所述絕緣材料的頂部。

7.根據權利要求5所述的方法，其包括：

在形成所述導電柱之前，在所述導電材料頂上形成絕緣體材料；

在所述豎直凹入之前，從所述導電線的所述縱向間隔開的第一區中的所述導電材料頂上移除所述絕緣體材料；和

在所述導電柱形成之后并且在所述集成電路系統的已完成構造中，所述絕緣體材料保持于所述導電柱頂上。

8.根據權利要求7所述的方法，其包括在形成所述導電線之前，在所述導電材料頂上形成所述絕緣體材料。

9.根據權利要求7所述的方法，其中所述豎直凹入在所述導電線的所述縱向間隔開的第一區上方形成空隙空間，所述空隙空間縱向處于所述導電柱中縱向緊鄰的導電柱之間；且

所述方法另外包括：

用第一絕緣材料為所述空隙空間的側壁加襯，所述第一絕緣材料未填滿所述空隙空間；和

用處于所述第一絕緣材料上方并且與所述第一絕緣材料具有不同組合物的第二絕緣材料填充所述空隙空間的剩余體積。

10.根據權利要求9所述的方法，其中所述空隙空間的所述側壁包括所述導電材料的側壁和處于所述導電柱頂上的所述絕緣體材料的側壁，所述第一絕緣材料和所述第二絕緣材料橫向處于所述導電材料的所述側壁和所述絕緣體材料的所述側壁兩者上方。

11.根據權利要求9所述的方法，其中所述絕緣體材料和所述第一絕緣材料具有相對彼此相同的組合物。