[發(fā)明專利]一種高頻低功耗低抖動壓控振蕩器

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202110629000.8
• 申請日: 2021-06-05
• 公開（公告）號: CN113395042B
• 公開（公告）日: 2022-08-05
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 洪芃力
• 申請（專利權(quán)）人: 蘇州瀚宸科技有限公司
• 主分類號: H03B5/04
• 分類號: H03B5/04;H03B5/12
• 代理公司: 蘇州吳韻知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 32364
• 代理人: 王銘陸

1.一種壓控振蕩器，包括：

電感，配置為接收電源電壓；

可變電容，與所述電感并聯(lián)；

偏置模塊，輸入端配置為接收偏置輸入信號，產(chǎn)生偏置輸出信號；以及

負(fù)阻對，與所述電感和所述可變電容并聯(lián)，配置為接收所述偏置輸出信號，提供所述壓控振蕩器的輸出信號；

其中所述負(fù)阻對包括

第一晶體管，其第一極耦合到所述可變電容的第一端和所述壓控振蕩器的第一輸出端，其第二極接地，其控制極耦合到所述偏置模塊的第一輸出端；

第二晶體管，其第一極耦合到所述可變電容的第二端以及所述壓控振蕩器的第二輸出端，其控制極耦合到所述第一晶體管的第一極以及所述偏置模塊的第二輸出端，其第二極接地；

第一電容，其耦合在所述第一晶體管的控制極和所述第二晶體管的第一極之間；

第二電容，其耦合在所述第二晶體管的控制極和所述第一晶體管的第一極之間；

其中所述第一晶體管的第二極和所述第二晶體管的第二極之間耦合有電容性支路，所述電容性支路的阻抗分別與所述第一晶體管和第二晶體管的寄生電容分壓，從而降低所述壓控振蕩器的沖擊敏感函數(shù)；

其中，除所述電容性支路外，所述第一晶體管的第二極僅通過第一電阻接地，和/或，所述第二晶體管的第二極僅通過第二電阻接地；

其中在所述壓控振蕩器工作頻率范圍內(nèi)所述電容性支路的等效阻抗小于第一電阻或第二電阻的阻值。

2.如權(quán)利要求1所述的壓控振蕩器，其中所述電容性支路包括第三電容。

3.如權(quán)利要求2所述的壓控振蕩器，其中在所述壓控振蕩器工作頻率范圍內(nèi)所述第三電容的阻抗小于第一電阻或第二電阻的阻值。

4.如權(quán)利要求1所述的壓控振蕩器，其中所述電容性支路包括彼此串聯(lián)的第四電容和第五電容。

5.如權(quán)利要求4所述的壓控振蕩器，其中所述負(fù)阻對還包括一端耦合在所述第四電容和第五電容之間，另一端配置為接收地電平的第三電阻。

6.如權(quán)利要求4或5所述的壓控振蕩器，其中在所述壓控振蕩器工作頻率范圍內(nèi)所述第四電容和所述第五電容的等效阻抗小于所述第一電阻或第二電阻的阻值。

7.如權(quán)利要求1所述的壓控振蕩器，其中所述電容性支路包括彼此并聯(lián)的第六電容和第七電容。

8.如權(quán)利要求7所述的壓控振蕩器，其中在所述壓控振蕩器工作頻率范圍內(nèi)所述第六電容和第七電容的等效阻抗小于第一電阻或第二電阻的阻值。

9.如權(quán)利要求5所述的壓控振蕩器，其中所述第三電阻的阻值遠(yuǎn)大于所述第一電阻的阻值或第二電阻的阻值。

10.如權(quán)利要求1所述的壓控振蕩器，還包括電源，耦合到所述電感的中心抽頭，配置為所述VCO提供電源信號。

11.如權(quán)利要求10所述的壓控振蕩器，還包括

開關(guān)電容陣列，與所述電感并聯(lián)；

反向模塊，耦合到所述開關(guān)電容陣列，配置為在所述電源輸出的控制下向所述開關(guān)電容陣列提供控制信號以調(diào)整其電容值。

12.如權(quán)利要求10或11所述壓控振蕩器，其中，所述電源包括低壓差線性穩(wěn)壓器，其第一輸入端配置為接收參考電流，其第二輸入端耦合至低壓差線性穩(wěn)壓器輸出端，所述輸出端耦合到所述電感；其中所述參考電流I_ref＝m*I_ptat+n*I_bg/r，

其中I_ptat為正溫度系數(shù)電流，I_bg/r為帶隙基準(zhǔn)電壓除電阻產(chǎn)生的電流,其中m和n的值可調(diào)，以補(bǔ)償壓控振蕩器中電容陣列的溫度漂移。