[發(fā)明專利]應(yīng)用于鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管的截?cái)喾椒?/span>在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202110628762.6 | 申請(qǐng)日： | 2021-05-31 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN113394112A | 公開（公告）日： | 2021-09-14 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 邱靖堯;李鎮(zhèn)全;劉立堯 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 上海華力集成電路制造有限公司 |
| 主分類號(hào)： | H01L21/336 | 分類號(hào)： | H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 上海浦一知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 31211 | 代理人： | 羅雅文 |
| 地址： | 201203 上海市浦東新區(qū)自*** | 國省代碼： | 上海;31 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 應(yīng)用于 場(chǎng)效應(yīng) 晶體管 截?cái)?/a> 方法 | ||
1.一種應(yīng)用于鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管的截?cái)喾椒ǎ涮卣髟谟冢龇椒òǎ?/p>
提供半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底上形成有鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管的鰭體；
形成第一介質(zhì)層，所述第一介質(zhì)層覆蓋所述鰭體的頂部、側(cè)面、所述鰭體之間的半導(dǎo)體襯底；
進(jìn)行若干次鰭體截?cái)喙に嚕コ潜匾掦w；
通過濕法腐蝕工藝去除所述第一介質(zhì)層；
其中，每次鰭體截?cái)喙に嚢ǎ?/p>
在所述第一介質(zhì)層表面形成第二介質(zhì)層；
通過光刻工藝定義鰭體的截?cái)鄥^(qū)域；
通過刻蝕工藝去除所述截?cái)鄥^(qū)域?qū)?yīng)的鰭體；
去除所述半導(dǎo)體襯底表面殘余的光刻膠；
通過濕法腐蝕工藝去除所述第二介質(zhì)層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一介質(zhì)層為氮化硅層。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述通過濕法腐蝕工藝去除所述第一介質(zhì)層，包括：
利用磷酸溶液去除所述第一介質(zhì)層。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述第二介質(zhì)層為氧化硅層。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，所述通過濕法腐蝕去除所述第二介質(zhì)層，包括：
利用氫氟酸溶液和/或硫酸溶液去除所述第二介質(zhì)層。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述鰭體的頂部形成有硬掩膜層。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，所述硬掩膜層由依次疊加的氧化層、氮化層、氧化層構(gòu)成。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述通過光刻工藝定義鰭體的截?cái)鄥^(qū)域，包括：
在所述半導(dǎo)體襯底涂布旋涂碳，所述旋涂碳完全填充所述鰭體之間的間隙；
在旋涂碳層的表面涂布光刻膠；
利用包括截?cái)鄥^(qū)域圖案的掩膜版對(duì)所述半導(dǎo)體襯底進(jìn)行曝光，顯影后在光刻膠層和所述旋涂碳層定義出截?cái)鄥^(qū)域。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
