[發明專利]顯示面板與顯示裝置有效
| 申請號: | 202110628623.3 | 申請日: | 2021-06-07 |
| 公開(公告)號: | CN113078180B | 公開(公告)日: | 2021-09-03 |
| 發明(設計)人: | 胡道兵 | 申請(專利權)人: | 蘇州華星光電技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/15 | 分類號: | H01L27/15;H01L33/60;H01L27/32;H01L51/52 |
| 代理公司: | 深圳紫藤知識產權代理有限公司 44570 | 代理人: | 遠明 |
| 地址: | 215000 江蘇省*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示 面板 顯示裝置 | ||
本發明提供一種顯示面板及顯示裝置;該顯示面板通過在發光器件的間隔區域設置遮光層,減輕了相鄰的異色發光器件之間的混色效應,在所述遮光層與所述發光器件之間增設一層反射層,通過反射作用,避免發光器件直接出射至遮光層而發生散射,進一步地減輕了異色發光器件之間的混色效應,并避免了發光器件發出的大角度光線被遮光層吸收,提高了發光器件所發光線的出光效率,且通過將反射層設置在發光器件的出光方向的反射面,提升反射層的反射效率,通過使反射層由依次堆疊設置的至少三層折射率大小相互交替的反射子層組成,使各反射層的反射率波峰處的波長與各發光器件發光波長相對應,可以選擇性將對應的發光器件發出的光進行反射,優化顯示效果。
技術領域
本申請涉及顯示技術領域,具體涉及一種顯示面板與顯示裝置。
背景技術
隨著高階顯示市場對畫質的要求越來越高,提升顯示畫質成為高階顯示的一個新需求。目前常用于高階顯示的有機發光二極管(OLED,Organic Light-Emitting Diode)顯示技術受限于補償電路、氧化物半導體背板技術以及驅動設計等問題,尚需進行進一步地開發。而微型發光二極管(Micro-LED)顯示技術作為一個全新的顯示技術,在亮度以及功耗上較OLED顯示技術和雙層液晶顯示技術均具有較大的優勢,已成為目前顯示領域的一個熱門發展方向。
然而,Micro-LED顯示技術目前依然存在許多尚需解決的問題,首先,基于高階顯示的需求,Micro-LED芯片的尺寸需越做越小,Micro-LED芯片之間的間距也需越做越小,如此便會導致相鄰的紅綠藍LED芯片之間發生混光,從而導致顯示效果不佳。
發明內容
本發明提供一種顯示面板及顯示裝置,可解決由于相鄰像素混光以及發光器件出光效率低導致顯示品質不佳的問題。
為解決上述問題,第一方面,本發明提供了一種顯示面板,所述顯示面板包括:
基板;
發光器件層,設置于所述基板上,包括多個相互間隔且陣列排布的發光器件;
遮光層,設置于所述基板上,且對應設置于多個所述發光器件的間隔區域;以及
反射層,設置于所述遮光層與所述發光器件之間;
其中,所述反射層包括沿遠離所述遮光層側壁方向依次堆疊設置的至少三層反射子層,所述至少三層反射子層的折射率大小呈交替分布,所述反射層位于所述遮光層的側壁表面,所述發光器件包括第一發光器件、第二發光器件以及第三發光器件,所述反射層包括第一反射層、第二反射層以及第三反射層,其中,所述第一反射層設置于所述遮光層與所述第一發光器件相對的側壁上,所述第一反射層反射率波峰處的波長與所述第一發光器件發光波長相對應,所述第二反射層設置于所述遮光層與所述第二發光器件相對的側壁上,所述第二反射層反射率波峰處的波長與所述第二發光器件發光波長相對應,所述第三反射層設置于所述遮光層與所述第三發光器件相對的側壁上,所述第三反射層反射率波峰處的波長與所述第三發光器件發光波長相對應。
在本發明實施例提供的一顯示面板中,所述反射子層為透明膜層,所述反射層由非晶硅層與氧化硅層相互交替堆疊而成,或由氧化硅層與氮化硅層相互交替堆疊而成。
在本發明實施例提供的一顯示面板中,所述反射層包括第一非晶硅膜層、氧化硅膜層和第二非晶硅膜層,所述第一非晶硅膜層的厚度為23nm,所述氧化硅膜層的厚度為117nm,所述第二非晶硅膜層的厚度為19nm。
在本發明實施例提供的一顯示面板中,在至少三層所述反射子層中,底層的所述反射子層的折射率大于所述遮光層的折射率以及次底層的所述反射子層的折射率,或底層的所述反射子層的折射率小于所述遮光層的折射率以及次底層的所述反射子層的折射率。
在本發明實施例提供的一顯示面板中,底層的所述反射子層的折射率的范圍為1.7-2.0,次底層的所述反射子層的折射率的范圍為1.4-1.7。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





