[發(fā)明專利]一種具有垂直場(chǎng)板保護(hù)的SiC基槽柵MOSFET結(jié)構(gòu)

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202110627327.1
• 申請(qǐng)日: 2021-06-05
• 公開（公告）號(hào): CN113488540A
• 公開（公告）日: 2021-10-08
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 蔣佳燁;胡冬青;李婷;王正江;周新田;賈云鵬;吳郁
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 北京工業(yè)大學(xué)
• 主分類號(hào): H01L29/78
• 分類號(hào): H01L29/78;H01L29/06;H01L29/40
• 代理公司: 北京思海天達(dá)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11203
• 代理人: 劉萍

1.具有垂直場(chǎng)板保護(hù)的SiC基槽柵MOSFET結(jié)構(gòu)，其特征在于：

自下而上依次為漏極金屬化電極層，N⁺碳化硅襯底層，第一層碳化硅外延層，鄰接外延層是具有深槽群和槽柵MOS結(jié)構(gòu)的第二層碳化硅外延層；槽柵MOS由柵槽網(wǎng)絡(luò)、P型碳化硅體區(qū)、N⁺碳化硅源區(qū)和背柵短路區(qū)組成；所述深槽群與柵槽網(wǎng)絡(luò)同軸，且柵槽網(wǎng)絡(luò)包圍深槽群；所述深槽外邊-柵槽內(nèi)邊間距均勻相等，且控制在1-3微米之間；所述深槽比柵槽深2-10微米，深槽通過熱氧化和化學(xué)氣相沉積，形成厚度為0.2微米至1微米的二氧化硅介質(zhì)層；所述深槽在形成二氧化硅介質(zhì)層后，摻雜多晶硅，摻雜多晶與源電極相連，形成垂直場(chǎng)板；所述外延層分兩層，第一層外延層的摻雜濃度和厚度與阻斷電壓有關(guān)，對(duì)于1200V的耐壓要求摻雜濃度在1-2×10¹⁶cm^-3范圍內(nèi)，厚度在8-10微米范圍內(nèi)，第二層外延層的摻雜濃度控制在1-5×10¹⁶cm^-3范圍，厚度與深槽深度相同；第一層外延層和第二層外延層的總厚度為15-17微米。