[發(fā)明專利]一種基于激光成型的扇出型封裝結(jié)構(gòu)及其制備方法

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• 申請?zhí)枺?/td>: 202110622165.2
• 申請日: 2021-06-03
• 公開（公告）號: CN113394120A
• 公開（公告）日: 2021-09-14
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 楊冠南;崔成強(qiáng);童金;張昱;徐廣東
• 申請（專利權(quán)）人: 廣東工業(yè)大學(xué)
• 主分類號: H01L21/56
• 分類號: H01L21/56;H01L21/48;H01L23/14;H01L23/31;H01L23/498
• 代理公司: 廣州粵高專利商標(biāo)代理有限公司 44102
• 代理人: 陳嘉毅

1.一種激光成型的扇出型封裝結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

S1.將玻璃基板表面粗化，并在其上表面沉積或?yàn)R射一層Ti金屬或者Ti合金，得到金屬層玻璃基板；

S2.將納米銅、納米銀或納米銀包銅中的一種或多種涂覆在步驟S1得到金屬層玻璃基板，在玻璃基板的下表面進(jìn)行激光照射，激光透過玻璃基板使金屬層燒結(jié)形成再布線層；

S3.去除未燒結(jié)的納米銅、納米銀或納米銀包銅和未燒結(jié)的金屬層；

S4.將芯片凸點(diǎn)通過倒裝方式對準(zhǔn)再布線層，在玻璃基板的下表面進(jìn)行激光照射，使芯片與再布線層鍵合；

S5.對鍵合好的芯片進(jìn)行塑封，填充保護(hù)，得到塑封層；

S6.對再布線層上的塑封層打孔，露出再布線層，電鍍銅柱將打孔位置填充；

S7.進(jìn)行球下金屬沉積、植球，獲得最終封裝結(jié)構(gòu)；

所述步驟S2和步驟S4的激光功率0.1～10W；掃描速度為0.1～1000mm/s。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述激光成型的扇出封裝結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于，所述Ti合金為Cu-Ti合金或者TiN合金。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述激光成型的扇出封裝結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于，所述步驟S3和所述步驟S4可以互換。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述激光成型的扇出封裝結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于，所述步驟S2和步驟S4的激光功率0.1～0.8W。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述激光成型的扇出封裝結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于，所述步驟S2和步驟S4的掃描速度為5～30mm/s。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述激光成型的扇出封裝結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于，在步驟S5之后還包括在玻璃基板下層打孔，露出金屬層，然后電鍍銅柱填充孔隙。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述激光成型的扇出封裝結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于，步驟S1還可以是在玻璃基板上的沉積一層石墨薄膜，并在其石墨薄膜的表面涂覆Ti金屬或者Ti合金，得到金屬層玻璃基板；

在步驟S5之后還包括撕除玻璃基板和石墨層，并在再布線層下方熱壓一層ABF介電層，并利用激光在ABF介電層打孔，在ABF介電層上及ABF介電層打孔位置涂覆納米銅、納米銀或納米銀包銅中的一種或多種，進(jìn)行激光照射，燒結(jié)形成第二再布線層。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述激光成型的扇出封裝結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于，步驟S3中去除的步驟是通過加熱氧化、酸洗、無水乙醇清洗。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述激光成型的扇出封裝結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于，步驟S1中的粗化的方法為等離子刻蝕技術(shù)。

10.一種扇出型封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，通過權(quán)利要求1～8任一項(xiàng)所述方法制備得到。