[發(fā)明專利]一種高石墨化石墨厚膜及其制備方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202110621290.1 | 申請日: | 2021-06-03 |
| 公開(公告)號: | CN113184842A | 公開(公告)日: | 2021-07-30 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 張藝;李帥臻;鄭智博;蔣星;池振國;劉四委;許家瑞 | 申請(專利權(quán))人: | 中山大學(xué) |
| 主分類號: | C01B32/205 | 分類號: | C01B32/205;C04B35/52;C04B35/622 |
| 代理公司: | 北京東方盛凡知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11562 | 代理人: | 賈耀淇 |
| 地址: | 510275 廣東*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 石墨 化石 墨厚膜 及其 制備 方法 | ||
1.一種高石墨化石墨厚膜的制備方法,其特征在于,包括以下步驟:
(1)制備納米片層材料摻雜聚酰亞胺薄膜:
方法1:將納米片層材料和二胺分別加入到有機溶劑中,再將兩者混合,繼續(xù)加入二酐進行反應(yīng),將得到的聚酰胺酸溶液涂到載體上,進行干燥和熱酰亞胺化處理,得到納米片層材料摻雜聚酰亞胺薄膜;
方法2:將納米片層材料和聚酰亞胺材料分別加入到有機溶劑中,再將兩者混合,將得到的聚酰亞胺膠液涂到載體上,進行干燥處理,得到納米片層材料摻雜聚酰亞胺薄膜;
(2)將納米片層材料摻雜聚酰亞胺薄膜進行碳化處理;
(3)將碳化后的樣品進行石墨化處理,得到高石墨化石墨厚膜。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高石墨化石墨厚膜的制備方法,其特征在于,所述納米片層材料為氮化碳納米片、氮化硼納米片、石墨烯納米片、氧化石墨烯納米片、氧化石墨炔粉末、碳化鈦納米片、乙炔炭黑中的一種;在步驟(1)中,所述有機溶劑為N,N-二甲基甲酰胺、N-甲基吡咯烷酮、N,N-二甲基乙酰胺、四氫呋喃、γ-丁內(nèi)酯、六甲基磷酰胺、二甲基亞砜、間甲酚中的至少一種。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高石墨化石墨厚膜的制備方法,其特征在于,在步驟(1)的方法1中,所述二胺為芳香族二胺和脂肪族二胺中的一種或多種,所述二酐為含芳香環(huán)的二酐單體;所述二胺和二酐的摩爾比為1:1~1:1.05;所述聚酰胺酸溶液中的聚酰胺酸占所述有機溶劑的質(zhì)量的10~25%;所述納米片層材料占所述聚酰胺酸的質(zhì)量的0.1~10%。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高石墨化石墨厚膜的制備方法,其特征在于,在步驟(1)的方法1中,所述加入二酐進行反應(yīng)是在通入保護氣體后進行;所述反應(yīng)的溫度為-10~60℃,時間為4~72h。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高石墨化石墨厚膜的制備方法,其特征在于,在步驟(1)的方法1中,所述干燥處理的溫度為80~150℃,時間為1~2h,所述熱酰亞胺化處理為先升溫至200~250℃,保持0.5~1h,再升溫至300~400℃,保持0.5~1h;所述納米片層材料摻雜聚酰亞胺薄膜的厚度為80~250μm。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高石墨化石墨厚膜的制備方法,其特征在于,在步驟(1)的方法2中,所述聚酰亞胺材料為可溶于所述有機溶劑的聚酰亞胺,所述聚酰亞胺膠液中的聚酰亞胺占所述有機溶劑的質(zhì)量的10~25%,所述納米片層材料占所述聚酰亞胺的質(zhì)量的0.1~10%。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高石墨化石墨厚膜的制備方法,其特征在于,在步驟(1)的方法2中,所述干燥處理的溫度為80~150℃,時間為1~2h。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高石墨化石墨厚膜的制備方法,其特征在于,在步驟(2)中,所述碳化處理的終點溫度為900~1200℃,升溫速率為1~5℃/min,達到終溫后保持1~5h。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高石墨化石墨厚膜的制備方法,其特征在于,在步驟(3)中,所述石墨化處理的終點溫度為2800~3000℃,升溫速率為5~10℃/min,達到終溫后保持2~3h。
10.一種如權(quán)利要求1~9任一項所述制備方法制得的高石墨化石墨厚膜,所述石墨厚膜的厚度為75~150μm。
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