[發(fā)明專利]一種多種保護(hù)的DCDC使能電路在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202110620511.3 | 申請(qǐng)日: | 2021-06-03 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN113300329A | 公開(kāi)(公告)日: | 2021-08-24 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 吳智聲;楊慶宏;鄧通杭 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 福建飛毛腿動(dòng)力科技有限公司 |
| 主分類號(hào): | H02H7/12 | 分類號(hào): | H02H7/12;H02M1/32;H02M1/092;H02M3/07;H02H3/24;H02H3/087;H02H9/04 |
| 代理公司: | 廈門龍格思匯知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 35251 | 代理人: | 朱益萍 |
| 地址: | 350015 福建省福州市馬*** | 國(guó)省代碼: | 福建;35 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 多種 保護(hù) dcdc 電路 | ||
本發(fā)明公開(kāi)了一種多種保護(hù)的DCDC使能電路,包括欠壓關(guān)閉電路、過(guò)壓鉗位電路、DCDC打開(kāi)電路、短路保護(hù)觸發(fā)電路、DCDC模塊、充電開(kāi)關(guān)電路、單片機(jī)MCU、輸入Vin、3.3V電源,本發(fā)明具備深度欠壓關(guān)閉和短路保護(hù)功能,深度欠壓具有低功耗的優(yōu)點(diǎn);本發(fā)明具備過(guò)壓鉗位功能;本發(fā)明具備輸入短路保護(hù)功能和MCU告警功能,本發(fā)明使用了高端的MOS管Q5、MOS管Q6進(jìn)行開(kāi)關(guān)和快速充放電的實(shí)現(xiàn),內(nèi)阻小,過(guò)電流能力大,所以承受的應(yīng)力大,不容易損壞,當(dāng)MOS管Q5損壞,MOS管Q6也能保持功能。驅(qū)動(dòng)采用光耦隔離使能,大大提高了安全性。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種多種保護(hù)的DCDC使能電路。
背景技術(shù)
現(xiàn)有一般的DCDC都使用P管作為高端開(kāi)關(guān),高壓信號(hào)管信號(hào)少,價(jià)格貴,一般輸入端加限流電阻來(lái)限制輸入電容的沖擊,影響了電容的快速充放電,且不具有深度欠壓保護(hù)功能,承受的應(yīng)力小,容易被損壞。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是克服現(xiàn)有技術(shù)中的不足,提供一種多種保護(hù)的DCDC使能電路。
為了達(dá)到上述目的,本發(fā)明是通過(guò)以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)的:
一種多種保護(hù)的DCDC使能電路,包括欠壓關(guān)閉電路、過(guò)壓鉗位電路、DCDC打開(kāi)電路、短路保護(hù)觸發(fā)電路、DCDC模塊、充電開(kāi)關(guān)電路、單片機(jī)MCU、輸入Vin、3.3V電源,所述欠壓關(guān)閉電路、過(guò)壓鉗位電路、DCDC打開(kāi)電路、短路保護(hù)觸發(fā)電路、DCDC模塊都與充電開(kāi)關(guān)電路連接,所述欠壓關(guān)閉電路、短路保護(hù)觸發(fā)電路、過(guò)壓鉗位電路都連接DCDC打開(kāi)電路,所述短路保護(hù)觸發(fā)電路連接DCDC模塊,所述DCDC打開(kāi)電路、DCDC模塊都連接單片機(jī)MCU,所述充電開(kāi)關(guān)電路連接輸入Vin,所述欠壓關(guān)閉電路、DCDC打開(kāi)電路都連接3.3V電源。
作為優(yōu)選,欠壓關(guān)閉電路包括電阻R1、電阻R2、電阻R3、電阻R4、三極管Q1、MOS管Q2,所述電阻R1的一端連接充電開(kāi)關(guān)電路,所述電阻R1的另一端通過(guò)電阻R2連接電阻R3的一端,所述電阻R3的另一端連接地信號(hào)GND,所述電阻R3的一端連接三極管Q1的基極,所述三極管Q1的發(fā)射極連接地信號(hào)GND,所述三極管Q1的集電極通過(guò)電阻R4連接3.3V電源,所述MOS管Q2的G極連接三極管Q1的集電極,所述MOS管Q2的S極連接地信號(hào)GND,所述MOS管Q2的G極連接DCDC打開(kāi)電路。
作為優(yōu)選,MOS管Q2為N溝道MOS管,所述三極管Q1為NPN三極管。
作為優(yōu)選,過(guò)壓鉗位電路包括電阻R8、穩(wěn)壓二極管ZD1、穩(wěn)壓二極管ZD2,所述電阻R8的一端連接充電開(kāi)關(guān)電路,所述電阻R8的另一端連接DCDC打開(kāi)電路,所述電阻R8的另一端通過(guò)穩(wěn)壓二極管ZD1連接穩(wěn)壓二極管ZD2的負(fù)極,所述穩(wěn)壓二極管ZD2的正極連接地信號(hào)GND。
作為優(yōu)選,DCDC打開(kāi)電路包括光耦G1、電阻R5、電阻R6、電阻R7、三極管Q3,所述光耦G1的2管腳連接地信號(hào)GND,所述光耦G1的1管腳連接欠壓關(guān)閉電路,所述光耦G1的4管腳連接過(guò)壓鉗位電路,所述光耦G1的3管腳連接充電開(kāi)關(guān)電路,所述光耦G1的1管腳通過(guò)電阻R6連接電阻R7的一端,所述電阻R7的一端連接短路保護(hù)觸發(fā)電路,所述電阻R7的另一端連接三極管Q3的集電極,所述三極管Q3的發(fā)射極連接3.3V電源,所述三極管Q3的基極通過(guò)電阻R5連接單片機(jī)MCU,所述電阻R7的一端連接單片機(jī)MCU。
作為優(yōu)選,三極管Q3為PNP三極管。
作為優(yōu)選,短路保護(hù)觸發(fā)電路包括三極管Q4、二極管D2、電阻R12,所述三極管Q4的集電極連接DCDC模塊和充電開(kāi)關(guān)電路,所述三極管Q4的發(fā)射極連接DCDC打開(kāi)電路,所述三極管Q4的基極通過(guò)二極管D2連接電阻R12的一端,所述電阻R12的另一端連接三極管Q4的集電極。
作為優(yōu)選,三極管Q4為PNP三極管。
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