[發明專利]一種耐高溫防腐絕緣的氣相沉積設備

在審

• 申請號: 202110618277.0
• 申請日: 2021-06-01
• 公開（公告）號: CN113355654A
• 公開（公告）日: 2021-09-07
• 發明（設計）人: 王艷華;秦紅燕
• 申請（專利權）人: 北京市永康藥業有限公司
• 主分類號: C23C16/44
• 分類號: C23C16/44;C03C1/02;C03C3/06
• 代理公司: 北京高航知識產權代理有限公司 11530
• 代理人: 喬浩剛

本發明涉及一種耐高溫防腐絕緣的氣相沉積設備，包括氣相反應室，氣相反應室包括底座、隔熱框架、氣體入口、晶圓托盤和氣體出口，底座固定設置在氣相反應室的底部，隔熱框架架設在底座的上方且與底座固定連接，晶圓托盤設置在底座的上表面，氣體入口設置在隔熱框架的頂部，氣體出口設置在隔熱框架的一個側面；隔熱框架的材料為改性石英。隔熱框架用于隔絕反應室內的溫度，從而保證反應的正常進行同時還能減少能源的浪費，晶圓托盤用于承載晶圓從而完成沉積，氣體入口用于使反應氣體導入反應室內，氣體出口用于排出多余的氣體。本發明的獨特之處在于，對氣相反應室內的隔熱框架進行了改進，使該氣相沉積設備能夠承受更高的溫度以及更加的耐用。

技術領域

本發明涉及氣相沉積設備領域，具體涉及一種耐高溫防腐絕緣的氣相沉積設備。

背景技術

化學氣相沉積(CVD)是半導體工業中應用最為廣泛的用來沉積多種材料的技術，包括大范圍的絕緣材料，大多數金屬材料和金屬合金材料。從理論上來說，兩種或兩種以上的氣態原材料導入到一個反應室內，然后他們相互之間發生化學反應，形成一種新的材料，沉積生成單晶薄膜化合物。通常情況下，溫度越高氣相沉積速率越快，然而在高溫情況下，現有的現有氣相沉積設備的耐高溫性不足，絕緣性差，容易被腐蝕，這些都影響到氣相沉積設備的使用效率。

發明內容

針對現有技術中存在的問題，本發明的目的是提供一種耐高溫防腐絕緣的氣相沉積設備，該設備的反應室具有較好的耐高溫性、絕緣性和防腐性。

本發明的目的采用以下技術方案來實現：

一種耐高溫防腐絕緣的氣相沉積設備，包括氣相反應室，氣相反應室包括底座、隔熱框架、氣體入口、晶圓托盤和氣體出口，底座固定設置在氣相反應室的底部，隔熱框架架設在底座的上方且與底座固定連接，晶圓托盤設置在底座的上表面，氣體入口設置在隔熱框架的頂部，氣體出口設置在隔熱框架的一個側面；所述隔熱框架的材料為改性石英。

優選地，所述氣體入口設置為至少兩個，氣體出口設置為一個。

優選地，所述氣體出口處位于隔熱框架的外側連接有抽氣裝置。

優選地，所述晶圓托盤的材料為石墨、碳化硅或氮化鈦。

優選地，所述改性石英按照重量份計算，包括：100份石英粉、6～12份改性氮化鈦微球和1～2份粘合劑。

優選地，所述石英粉的粒徑為200～400目。

優選地，所述粘合劑為泊洛沙姆、氰基丙烯酸酯和低分子聚酰胺按照質量比為12～15:8～10:1混合后得到。

優選地，所述改性氮化鈦多孔微球是通過使用鉭化鉿納米材料對氮化鈦微球進行改性得到。

優選地，所述鉭化鉿納米材料的制備方法為：

A1.分別稱取五氧化二鉭和二氧化鉿加入至行星球磨機內，以丙酮作為分散劑，以二氧化鋯球作為混料球，進行濕法研磨，得到混合材料粉末；其中，五氧化二鉭、二氧化鉿和丙酮的摩爾比為1:2:1.5～1.8，研磨時間為3～5h，球磨機速率為300～500rpm，球料比為3～5:1；

A2.將混合材料粉末壓制成塊狀后擺放在高溫爐內，抽真空后，通入氫氣至高溫爐內壓強為常壓，升溫至1250～1350℃，處理2～5h，冷卻至常溫后，經過納米粉碎機處理，得到鉭化鉿納米材料。

優選地，所述改性氮化鈦多孔微球的制備方法為：

B1.稱取甘油加入至去離子水中，再加入聚乙二醇，混合均勻后，得到第一混合溶劑；其中，甘油、去離子水與聚乙二醇的摩爾比為1:6～10:0.1～0.3；