[發(fā)明專利]模擬信號均衡質(zhì)量檢測方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202110617449.2 | 申請日: | 2021-05-27 |
| 公開(公告)號: | CN113433402B | 公開(公告)日: | 2022-07-15 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 徐希 | 申請(專利權(quán))人: | 芯思原微電子有限公司 |
| 主分類號: | G01R31/00 | 分類號: | G01R31/00;G01R19/04 |
| 代理公司: | 上海光華專利事務(wù)所(普通合伙) 31219 | 代理人: | 劉逸瀟 |
| 地址: | 230031 安徽省合肥市合肥市高新*** | 國省代碼: | 安徽;34 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 模擬 信號 均衡 質(zhì)量 檢測 方法 | ||
1.一種模擬信號均衡質(zhì)量檢測方法,包括:
獲取模擬前端輸出的待測模擬信號;
將所述待測模擬信號進(jìn)行高頻率衰減得到低通信號,并將所述待測模擬信號進(jìn)行低頻率衰減得到高通信號;
將所述低通信號輸入峰值檢測電路得到第一峰值電壓,并將所述高通信號輸入所述峰值檢測電路得到第二峰值電壓;
基于所述第一峰值電壓和所述第二峰值電壓獲取均衡質(zhì)量參數(shù);
將所述均衡質(zhì)量參數(shù)輸入所述模擬前端。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,將所述待測模擬信號進(jìn)行高頻率衰減得到低通信號包括:
通過低通濾波器對所述待測模擬信號進(jìn)行高頻率衰減得到低通信號;
其中,所述低通濾波器的轉(zhuǎn)角頻率高于所述待測模擬信號的最低基波分量。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法,其特征在于,將所述待測模擬信號進(jìn)行低頻率衰減得到高通信號包括:
通過高通濾波器對所述待測模擬信號進(jìn)行低頻率衰減得到高通信號;
其中,所述高通濾波器的轉(zhuǎn)角頻率低于所述待測模擬信號的最高基波分量,并高于所述待測模擬信號的次高基波分量。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法,其特征在于,所述高通濾波器和低通濾波器的通帶范圍內(nèi)的增益均為1。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,基于所述第一峰值電壓和所述第二峰值電壓獲取均衡質(zhì)量參數(shù)步驟包括:
將所述第一峰值電壓乘以第一修整倍數(shù),得到第一峰值修整電壓;
將所述第一峰值修整電壓與所述第二峰值電壓進(jìn)行比較,獲取第一差值參數(shù);
將所述第一差值參數(shù)和所述第一修整倍數(shù)作為均衡質(zhì)量參數(shù)。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,基于所述第一峰值電壓和所述第二峰值電壓獲取均衡質(zhì)量參數(shù)步驟包括:
將所述第二峰值電壓乘以第二修整倍數(shù),得到第二峰值修整電壓;
將所述第二峰值修整電壓與所述第一峰值電壓進(jìn)行比較,獲取第二差值參數(shù);
將所述第二差值參數(shù)和所述第二修整倍數(shù)作為均衡質(zhì)量參數(shù)。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,該方法還包括:
將第一峰值電壓傳輸給模擬前端,以作為所述模擬前端調(diào)整信號擺幅的調(diào)整參數(shù)。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,所述峰值檢測電路包括運算放大器、限位開關(guān)、存儲電容和帶寬調(diào)節(jié)元件;其中所述限位開關(guān)的輸入端與所述運算放大器的輸出端連接,所述限位開關(guān)的輸出端與所述存儲電容一端連接,所述存儲電容另一端接地,所述帶寬調(diào)節(jié)元件并聯(lián)于所述存儲電容兩端。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法,其特征在于,所述限位開關(guān)為N型MOS管,所述N型MOS管的柵極與所述運算放大器輸出端連接,所述N型MOS管的源極與所述存儲電容連接,所述N型MOS管的漏極接電源。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法,其特征在于,所述帶寬調(diào)節(jié)元件為電流源模塊。
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