[發明專利]一種ZnSe基底10.3-10.9μm高強減反膜及鍍制方法

在審

• 申請號: 202110617201.6
• 申請日: 2021-06-03
• 公開（公告）號: CN113341487A
• 公開（公告）日: 2021-09-03
• 發明（設計）人: 張勇;張濤;郭浩宇;陳俊霞;王苗苗;蘇穎;張恒華;張成群;白濤;張金豹;耿浩;張樹盛;楊資陽
• 申請（專利權）人: 河南平原光電有限公司
• 主分類號: G02B1/115
• 分類號: G02B1/115;C23C14/06;C23C14/32
• 代理公司: 焦作市科彤知識產權代理事務所(普通合伙) 41133
• 代理人: 陳湍南

1.一種ZnSe基底10.3-10.9μm高強減反膜，在ZnSe基底的正面鍍制正面膜系，在ZnSe基底的反面鍍制與正面膜系相同的反面膜系，其特征在于：所述正面膜系結構為：

G/100L1010H901L10H933L10H/A；

所述反面膜系結構為：

G/100L1010H901L10H933L10H/A；

其中：G：ZnSe；H：ZnS；L：YbF₃；A：空氣；

膜層前的數字為該膜層的物理厚度，單位nm。

2.一種ZnSe基底10.3-10.9μm高強減反膜的鍍制方法，用于制備如權利要求1中所述的ZnSe基底10.3-10.9μm高強減反膜，其特征在于：采用APS離子源高能量輔助和基底加熱鍍膜的方式，在ZnSe基底上依次鍍制100nm厚度YbF₃層、1010nm厚度ZnS層、901nm厚度YbF₃層、10nm厚度ZnS層、933nm厚度YbF₃層、10nm厚度ZnS層。

3.根據權利要求2所述的一種ZnSe基底10.3-10.9μm高強減反膜的鍍制方法，其特征在于：APS離子源輔助能量控制參數為：偏轉電壓VB100～120v，放電電流ID45～55mA，工藝過程中控制溫度為18℃～26℃，相對濕度為30％～70％，潔凈度萬級。

4.根據權利要求3所述的一種ZnSe基底10.3-10.9μm高強減反膜的鍍制方法，其特征在于：基底加熱溫度為150℃。

5.根據權利要求4所述的一種ZnSe基底10.3-10.9μm高強減反膜的鍍制方法，其特征在于：鍍制過程中，ZnS蒸發速率控制在0.6～0.8nm/s之間，YbF₃蒸發速率控制在0.3～0.5nm/s之間。