[發明專利]基板處理裝置在審
| 申請號: | 202110617130.X | 申請日: | 2015-09-30 |
| 公開(公告)號: | CN113363187A | 公開(公告)日: | 2021-09-07 |
| 發明(設計)人: | 林航之介;大田垣崇 | 申請(專利權)人: | 芝浦機械電子株式會社 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;H01L21/687;H01L21/02;B08B3/02;B08B3/08;B08B3/10 |
| 代理公司: | 永新專利商標代理有限公司 72002 | 代理人: | 房永峰 |
| 地址: | 日本神*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 處理 裝置 | ||
1.一種基板處理裝置,其特征在于,具有:
噴嘴頭,與基板的被處理面對置,具備朝向上述被處理面開口的凹部,
處理液供給噴嘴,被設置于上述噴嘴頭,朝向上述被處理面供給處理液;
氣體噴出噴嘴,被設置于上述噴嘴頭,朝向上述被處理面噴出氣體;
除去部,將存在于上述凹部的液滴除去;以及
排液部,設置在上述噴嘴頭的上述凹部的底部,將作為除去對象的上述液滴向上述凹部之外排出,
上述除去部具有從上述噴嘴頭的表面突出地形成的第1噴嘴,
上述第1噴嘴具有能夠使氣體朝向上述凹部的周方向噴出的孔,
利用從上述孔噴出的上述氣體,將存在于上述凹部的上述液滴引導至上述排液部。
2.根據權利要求1所述的基板處理裝置,其特征在于,
上述第1噴嘴兼用作上述氣體噴出噴嘴。
3.一種基板處理裝置,其特征在于,具有:
噴嘴頭,與基板的被處理面對置,具備朝向上述被處理面開口的凹部,
處理液供給噴嘴,被設置于上述噴嘴頭,朝向上述被處理面供給處理液;
氣體噴出噴嘴,被設置于上述噴嘴頭,朝向上述被處理面噴出氣體;
除去部,將存在于上述凹部的液滴除去;以及
排液部,設置在上述噴嘴頭的上述凹部的底部,將作為除去對象的上述液滴向上述凹部之外排出,
上述除去部具有噴出口,該噴出口配置于上述凹部的表面,為了除去存在于上述凹部的上述液滴而朝向設于上述底部的上述排液部噴出除去材料。
4.根據權利要求1至3中任一項所述的基板處理裝置,其特征在于,
具有使上述噴嘴頭振動的振動部。
5.根據權利要求1至3中任一項所述的基板處理裝置,其特征在于,
具有對上述噴嘴頭進行加熱的加熱部。
6.根據權利要求1至3中任一項所述的基板處理裝置,其特征在于,
具有與上述排液部連接的吸引部,上述吸引部除去存在于上述凹部的上述處理液的液滴。
7.根據權利要求1至3中任一項所述的基板處理裝置,其特征在于,
上述噴嘴頭的凹部的表面為了避免作為除去對象的上述液滴的滯留而被粗糙化。
8.根據權利要求1至3中任一項所述的基板處理裝置,其特征在于,
上述噴嘴頭在上述凹部的表面涂敷有多孔質材料。
9.根據權利要求1至3中任一項所述的基板處理裝置,其特征在于,
上述噴嘴頭的上述凹部由多孔質材料形成。
10.根據權利要求3所述的基板處理裝置,其特征在于,
上述噴出口在上述凹部表面以環狀設置。
11.根據權利要求3所述的基板處理裝置,其特征在于,
上述噴出口被配置在上述凹部的上部,
上述噴出口被配置成與以最短距離連接上述噴出口和上述排液部之間的線正交的方向的朝向,
上述除去材料能夠沿著上述凹部的表面噴出。
12.根據權利要求3、10、11中任一項所述的基板處理裝置,其特征在于,
具有槽,該槽形成為以最短距離連接上述凹部的上部和上述排液部之間。
13.根據權利要求3、10、11中任一項所述的基板處理裝置,其特征在于,
具有槽,該槽形成為從上述凹部的上部向上述排液部延伸的螺旋狀。
14.根據權利要求13所述的基板處理裝置,其特征在于,
形成為上述螺旋狀的槽沿著與對上述基板進行處理時的上述基板的旋轉方向相同的方向旋繞。
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H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





