[發(fā)明專利]一種激光器芯片的化合物外延生長的制造方法

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• 申請日: 2021-06-03
• 公開（公告）號: CN113381288A
• 公開（公告）日: 2021-09-10
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 鄭君雄;鄭世進;崔雨舟;王青
• 申請（專利權(quán)）人: 深圳市中科光芯半導(dǎo)體科技有限公司
• 主分類號: H01S5/00
• 分類號: H01S5/00
• 代理公司: 北京恒泰銘睿知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11642
• 代理人: 張靜

1.一種激光器芯片的化合物外延生長的制造方法，包括以下步驟，其特征在于：

S1.在使用時將原料放至在襯底架(1)上，在第一次外延生長時，通過升高外部溫度使得原料的溫度升高；

S2.升高的溫度經(jīng)判斷桿(41)傳導(dǎo)至導(dǎo)熱球(42)內(nèi)，隨后再經(jīng)由導(dǎo)熱球(42)散發(fā)至傳動腔(43)內(nèi)，此時傳動腔(43)內(nèi)的溫度上升壓強增大，而導(dǎo)動塞(44)與傳動腔(43)的內(nèi)壁緊密貼合，故而此時的導(dǎo)動塞(44)會受到一個向下的推力，這個推力經(jīng)導(dǎo)動塞(44)作用在復(fù)位彈簧(46)上，并最終拉伸復(fù)位彈簧(46)使其發(fā)生形變后推動加壓桿(45)運動，加壓桿(45)在運動的過程中會同時拉動推拉桿(47)；

S3.推拉桿(47)運動從而對連接塊(61)施加一個作用力，從而使得連接塊(61)有一個在限位滑桿(63)上滑動的趨勢，此時啟動放溫機構(gòu)(3)與調(diào)溫機構(gòu)(6)的外部電源，這時推拉桿(47)所施加的力會拉動連接塊(61)使其拉伸緩沖彈簧(62)發(fā)生形變后在限位滑桿(63)上滑動，在連接塊(61)滑動的過程中其會同時帶動調(diào)節(jié)撥片(64)在電阻片(65)上滑動；

S4.由于調(diào)節(jié)撥片(64)、電阻片(65)、電熱絲(31)、電性塊(32)為串聯(lián)，在調(diào)節(jié)撥片(64)滑動后電阻片(65)在電路內(nèi)的阻值發(fā)生改變，從而使得施加在電熱絲(31)上的電壓大小發(fā)生改變，進而改變電熱絲(31)的發(fā)熱量，這時電熱絲(31)散發(fā)的熱量會經(jīng)過安裝座(33)傳導(dǎo)至襯底架(1)，并最終傳導(dǎo)至原料；

S5.在判斷機構(gòu)(4)的作用下，電熱絲(31)所散發(fā)的熱量始終保持一個動態(tài)平衡，即原料溫度降低時電熱絲(31)所散發(fā)的熱量升高，反之原料溫度升高時電熱絲(31)所散發(fā)的熱量降低，從而確保原料所受到的熱量均勻；

S6.在對第一次外延生長后的原料進行制備光柵時，光柵所使用的腐蝕液會滴落在襯底架(1)上，此時腐蝕液的溫度會降低襯底架(1)的溫度，進而使得傳動腔(43)內(nèi)的溫度降低壓強減少，從而此時的復(fù)位彈簧(46)便會開始復(fù)位；

S7.復(fù)位后的復(fù)位彈簧(46)拉動加壓桿(45)向著靠近傳動腔(43)的方向運動，從而帶動擠壓塊(51)同步運動，這時擠壓塊(51)施加在負壓囊(52)上的壓力同步減小，從而負壓囊(52)開始回彈，其內(nèi)部空間逐漸增大形成負壓，這個負壓經(jīng)由換氣槽(53)傳導(dǎo)至回收槽(54)內(nèi)，再經(jīng)由回收槽(54)作用在襯底架(1)上，最終作用在腐蝕液上，從而減少腐蝕液停留在原料上的時間，避免腐蝕液對原料進行蝕刻。

2.一種如權(quán)利要求1所述的激光器芯片的化合物外延生長的制造裝置，其特征在于：包括調(diào)溫機構(gòu)(6)、回收機構(gòu)(5)，所述調(diào)溫機構(gòu)(6)包括連接塊(61)，所述連接塊(61)內(nèi)部活動連接有限位滑桿(63)，所述連接塊(61)遠離限位滑桿(63)的一側(cè)活動連接有緩沖彈簧(62)，所述連接塊(61)左側(cè)固定連接有調(diào)節(jié)撥片(64)，所述調(diào)節(jié)撥片(64)遠離連接塊(61)的一端活動連接有電阻片(65)，所述電阻片(65)外部固定連接有緊固架(66)。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種激光器芯片的化合物外延生長的制造裝置，其特征在于：所述回收機構(gòu)(5)包括擠壓塊(51)，所述擠壓塊(51)底部活動連接有負壓囊(52)，所述負壓囊(52)靠近連接塊(61)的一側(cè)活動連接有換氣槽(53)，所述換氣槽(53)遠離負壓囊(52)的一端活動連接有回收槽(54)。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種激光器芯片的化合物外延生長的制造裝置，其特征在于：所述回收機構(gòu)(5)頂部活動連接有判斷機構(gòu)(4)，所述判斷機構(gòu)(4)頂部活動連接有放溫機構(gòu)(3)，所述放溫機構(gòu)(3)頂部活動連接有襯底架(1)，所述襯底架(1)底部靠近判斷機構(gòu)(4)的一側(cè)固定連接有支撐座(2)，所述判斷機構(gòu)(4)遠離支撐座(2)的一側(cè)與調(diào)溫機構(gòu)(6)活動連接。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種激光器芯片的化合物外延生長的制造裝置，其特征在于：所述放溫機構(gòu)(3)包括電熱絲(31)，所述電熱絲(31)左右兩側(cè)均活動連接有電性塊(32)，所述電性塊(32)外部活動連接有安裝座(33)。