[發明專利]一種半導體激光器封裝結構

在審

• 申請號: 202110616729.1
• 申請日: 2021-06-03
• 公開（公告）號: CN113067249A
• 公開（公告）日: 2021-07-02
• 發明（設計）人: 陳曉華;王寶華;郭渭榮;時敏;李娟;董曉培
• 申請（專利權）人: 北京凱普林光電科技股份有限公司
• 主分類號: H01S5/024
• 分類號: H01S5/024
• 代理公司: 北京市隆安律師事務所 11323
• 代理人: 權鮮枝;朱營琢

1.一種半導體激光器封裝結構，其特征在于，所述封裝結構包括至少一個半導體激光器芯片和液冷底板，各所述半導體激光器芯片設置在所述液冷底板上，所述液冷底板的側面上設置有冷卻液的進液口和出液口，所述液冷底板的內部設置有液體通道與所述進液口和所述出液口連接，所述液體通道的至少一部分設置在所述半導體激光器芯片的底部區域，且該至少一部分的通道分成多個子通道，用于提高對各所述半導體激光器芯片的冷卻能力。

2.根據權利要求1所述的封裝結構，其特征在于，所述液體通道分為進液通道和出液通道，所述多個子通道設置在所述出液通道上，且所述多個子通道的入液端設置有分配槽,所述多個子通道的出液端設置有匯聚槽，所述分配槽與所述進液通道連接，所述匯聚槽與所述出液口連接。

3.根據權利要求1或2所述的封裝結構，其特征在于，所述多個子通道由多孔結構和/或多葉片結構形成。

4.根據權利要求3所述的封裝結構，其特征在于，所述多孔結構中的各孔相互平行；和/或，所述多葉片結構中的各葉片相互平行。

5.根據權利要求1所述的封裝結構，其特征在于，各所述半導體激光器芯片設置在輔助熱沉上，所述輔助熱沉燒結在所述液冷底板上，所述輔助熱沉選用熱導率不低于200W/m·K的材料，包括如下的任一種材料：氮化鋁、碳化硅、石墨烯或金剛石。

6.根據權利要求1、2、4或5所述的封裝結構，其特征在于，所述液冷底板由單一種金屬的部分制成，或者由兩個以上部分拼接組成，且各部分的金屬材料不同，其中，靠近所述半導體激光器芯片的部分采用的金屬的導熱率大于遠離所述半導體激光器芯片部分的金屬的導熱率。

7.根據權利要求6所述的封裝結構，其特征在于，所述靠近所述半導體激光器芯片的部分采用的金屬為銅，所述遠離所述半導體激光器芯片的部分采用的金屬為鋁。

8.根據權利要求6所述的封裝結構，其特征在于，所述靠近所述半導體激光器芯片的部分通過拉模、鍛造或3D打印方式加工形成。

9.根據權利要求1所述的封裝結構，其特征在于，所述液冷底板中的冷卻介質為純凈水或相變介質。

10.根據權利要求1、2、4或5所述的封裝結構，其特征在于，各所述半導體激光器芯片的出光功率不低于30W。