[發(fā)明專利]一種納米網(wǎng)狀表面電極的三結(jié)砷化鎵太陽電池的制備方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202110616416.6 | 申請日: | 2021-06-03 |
| 公開(公告)號: | CN113066907B | 公開(公告)日: | 2021-08-27 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 李俊承;米萬里;吳洪清;徐培強;白繼鋒;潘彬;王向武 | 申請(專利權(quán))人: | 南昌凱迅光電有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/18 | 分類號: | H01L31/18;H01L31/0224;H01L31/0687 |
| 代理公司: | 南昌金軒知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 36129 | 代理人: | 李楠 |
| 地址: | 330000 江西省*** | 國省代碼: | 江西;36 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 納米 網(wǎng)狀 表面 電極 三結(jié)砷化鎵 太陽電池 制備 方法 | ||
1.一種具有納米網(wǎng)狀表面電極的三結(jié)砷化鎵太陽電池的制備方法,其特征在于,包括以下步驟:
S1:對外延片進(jìn)行背電極制作、正面焊點圖形制作和活化處理得到活化外延片;
其中,S1所述制作背電極的方法為:對電池外延片的的背面進(jìn)行清洗后蒸鍍背電極,背電極含有金屬Pd;
所述清洗的方法為:在外延片的正面采用等離子增強化學(xué)氣相沉積方式沉積厚度為200nm-500nm的SiO2層,采用的沉積溫度為200℃;然后在SiO2層上采用旋涂法涂覆液態(tài)聚酰亞胺,涂覆完成后在450℃和N2環(huán)境中固化60min形成聚酰亞胺薄膜對外延片正面進(jìn)行保護(hù),然后采用硝酸、氫氟酸和醋酸的混合酸液對外延片背面腐蝕5min,使用去離子水沖洗干凈混合酸液;
S2:將聚苯乙烯納米球分散劑采用450倍-550倍的水稀釋后,加入水質(zhì)量的3%-5%的十二烷基磺酸鈉,在溫度為20℃-30℃,濕度為40%-60%下靜置4h-6h,使得聚苯乙烯納米球在溶液表面形成緊密的單分子膜層,得到聚苯乙烯納米球混合液;
S3:將S1的活化外延片從一側(cè)緩慢沉入S2制備的聚苯乙烯納米球混合液中,使得外延片表面從單分子膜層下方緩慢經(jīng)過,將聚苯乙烯納米球轉(zhuǎn)移到外延片表面;
S4:將附著有聚苯乙烯納米球的外延片表面自然干燥,形成緊密排列的聚苯乙烯納米球模板;
S5:將S4干燥后的外延片在115℃-125℃下,氮氣環(huán)境中,加熱25min-35min,至外延片表面的小球直徑縮小為原來的80%-85%,形成網(wǎng)狀結(jié)構(gòu);
S6:利用電子束蒸發(fā)的方式,在外延片表面沉積2μm-3μm的Ag,在丙酮溶液中超聲使得聚苯乙烯納米球和外延片分離,在分離的同時帶走蒸鍍在聚苯乙烯納米球上的正極金屬,留下的金屬形成網(wǎng)格狀電極;
S7:使用退火爐對外延片進(jìn)行退火,使用金剛石切割機進(jìn)行劃片切割,形成單體電池。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述一種具有納米網(wǎng)狀表面電極的三結(jié)砷化鎵太陽電池的制備方法,其特征在于,S1所述外延片的制備方法為:在Ge基板上,采用金屬有機氣相沉積方式依次外延生長制作出Ge電池、GaAs電池與InGaP電池。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述一種具有納米網(wǎng)狀表面電極的三結(jié)砷化鎵太陽電池的制備方法,其特征在于,各個子電池之間,以隧穿結(jié)進(jìn)行連接,隧穿結(jié)為GaAs同質(zhì)隧穿結(jié)或者AlGaAs/GaInP異質(zhì)隧穿結(jié),在結(jié)尾處,生長300nm-500nm的N型GaAs,作為歐姆接觸層。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述一種具有納米網(wǎng)狀表面電極的三結(jié)砷化鎵太陽電池的制備方法,其特征在于,所述硝酸、所述氫氟酸和所述醋酸的體積之比為2:1:7或1:1:6,其中硝酸的質(zhì)量濃度為65%-85%;氫氟酸質(zhì)量濃度為40%,醋酸質(zhì)量濃度為85%。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述一種具有納米網(wǎng)狀表面電極的三結(jié)砷化鎵太陽電池的制備方法,其特征在于,所述蒸鍍背電極的方法為:使用電子束蒸發(fā)的方式,蒸鍍背面電極,背電極的材料為PdAgAu或者PdAg。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述一種具有納米網(wǎng)狀表面電極的三結(jié)砷化鎵太陽電池的制備方法,其特征在于,S1所述正面焊點圖形制作之前包括對外延片正面進(jìn)行清洗。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述一種具有納米網(wǎng)狀表面電極的三結(jié)砷化鎵太陽電池的制備方法,其特征在于,所述正面進(jìn)行清洗的方法為:使用手術(shù)刀片將正極表面的聚酰亞胺薄膜劃出溝道,使用10%的HF水溶液,對正極表面進(jìn)行浸泡去除聚酰亞胺薄膜,然后將電池外延片依次在丙酮超聲5min、異丙醇超聲5min,最后在110℃下氮氣氛圍中烘15min即得。
8.根據(jù)權(quán)利要求1或7所述一種具有納米網(wǎng)狀表面電極的三結(jié)砷化鎵太陽電池的制備方法,其特征在于,S1所述正面焊點圖形制作的方法為:采用負(fù)膠曝光出特定圖形后進(jìn)行金屬電極蒸鍍,蒸鍍完成后浸泡丙酮溶液,剝離出電極圖形。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述一種具有納米網(wǎng)狀表面電極的三結(jié)砷化鎵太陽電池的制備方法,其特征在于,所述金屬電極蒸鍍?yōu)橐来握翦傾uGe、Au、Ag和Au,蒸鍍厚度分別為150nm、50nm、3500nm和100nm。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進(jìn)行電能控制的半導(dǎo)體器件;專門適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的,并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的





