[發明專利]一種鈣鈦礦電池制備方法

有效

• 申請號: 202110614427.0
• 申請日: 2021-06-02
• 公開（公告）號: CN113363394B
• 公開（公告）日: 2022-05-13
• 發明（設計）人: 段羽;王錦濤;陳嘯天;周伊斌;賀晨陽
• 申請（專利權）人: 吉林大學
• 主分類號: H01L51/48
• 分類號: H01L51/48;H01L51/42
• 代理公司: 長春中科長光知識產權代理事務所(普通合伙) 22218
• 代理人: 高一明;郭婷

1.一種鈣鈦礦電池制備方法，包括制備空穴傳輸層，其特征在于，所述制備空穴傳輸層包括以下步驟：

S1、分別配置Li-TFSI溶液、Spiro-OMeTAD溶液和具有氧化性的無機鈉鹽或鉀鹽溶液，混合后得到空穴傳輸層前驅體溶液；

S2、將所述空穴傳輸層前驅體溶液涂覆在所述鈣鈦礦功能層上，制備得到所述空穴傳輸層。

2.如權利要求1所述的鈣鈦礦電池制備方法，其特征在于，配置所述具有氧化性的無機鈉鹽或鉀鹽溶液包括以下步驟：

將具有氧化性的無機鈉鹽或鉀鹽溶解到4-叔丁基吡啶(TBP)中，再進行攪拌，得到所述具有氧化性的無機鈉鹽或鉀鹽溶液。

3.如權利要求2所述的鈣鈦礦電池制備方法，其特征在于，所述具有氧化性的無機鈉鹽或鉀鹽包括高錳酸鉀、高錳酸鈉、錳酸鉀、錳酸鈉、次氯酸鉀、次氯酸鈉、氯酸鉀、氯酸鈉、重鉻酸鉀、重鉻酸鈉、過氧化鉀、過氧化鈉、過硼酸鈉、過硼酸鉀、過碳酸鈉、過碳酸鉀、高鐵酸鈉、高鐵酸鉀、鉍酸鈉、鉍酸鉀。

4.如權利要求1所述的鈣鈦礦電池制備方法，其特征在于，將所述空穴傳輸層前驅體溶液涂覆在所述鈣鈦礦功能層上的方法包括滴涂、旋涂、噴涂、噴墨打印、絲網印刷；通過旋涂進行涂覆時的轉速為3000-6000轉，加速度為1000-6000轉/秒，時間為30-60秒。

5.如權利要求1所述的鈣鈦礦電池制備方法，其特征在于，配置所述Spiro-OMeTAD溶液包括以下步驟：

將Spiro-OMeTAD溶解到氯苯中，再進行攪拌，得到所述Spiro-OMeTAD溶液。

6.如權利要求1所述的鈣鈦礦電池制備方法，其特征在于，配置所述Li-TFSI溶液包括以下步驟：

將Li-TFSI溶解到乙醇或乙腈中，再進行攪拌，得到所述Li-TFSI溶液。

7.如權利要求1所述的鈣鈦礦電池制備方法，其特征在于，在所述S1步驟前還包括制備鈣鈦礦功能層，制備方法包括蒸鍍、一步旋涂、兩步旋涂、噴涂、噴墨打印、刮刀涂布、狹縫涂布、絲網印刷；通過一步旋涂進行制備時的轉速為2000-6000轉，加速度為2000-6000轉/秒，時間為25-90秒。

8.如權利要求7所述的鈣鈦礦電池制備方法，其特征在于，在所述制備鈣鈦礦功能層步驟前還包括制備電子傳輸層，制備方法包括旋涂、蒸鍍、原子層沉積、噴墨打印、絲網印刷、化學浴沉積、水浴沉積；通過旋涂進行制備時的轉速為1000-5000轉，加速度為1000-5000轉/秒，時間為10-60秒。

9.如權利要求7所述的鈣鈦礦電池制備方法，其特征在于，在所述制備電子傳輸層步驟前還包括以下步驟：

清洗導電基板，再進行吹干、烘干，并進行親水性處理。

10.如權利要求1所述的鈣鈦礦電池制備方法，其特征在于，在所述S2步驟后還包括制備頂電極，制備方法包括蒸鍍、旋涂、噴涂、噴墨打印、刮刀涂布、狹縫涂布、絲網印刷；通過蒸鍍進行制備時，蒸鍍倉的壓力小于5×10^-4Pa，蒸鍍速率為0.5-5埃/秒。