[發明專利]3D存儲器中的堆疊連接件及其制造方法

在審

• 申請號: 202110612897.3
• 申請日: 2018-08-14
• 公開（公告）號: CN113345910A
• 公開（公告）日: 2021-09-03
• 發明（設計）人: 劉峻;霍宗亮
• 申請（專利權）人: 長江存儲科技有限責任公司
• 主分類號: H01L27/1157
• 分類號: H01L27/1157;H01L27/11582;H01L21/02;H01L21/225;H01L21/28;H01L21/306;H01L21/3105;H01L21/311;H01L21/321;H01L29/10
• 代理公司: 北京永新同創知識產權代理有限公司 11376
• 代理人: 劉健;張殿慧

1.一種存儲器件，包括：

襯底；

第一疊層，其在所述襯底之上，并具有交替的導體層和絕緣體層；

頂部電介質層，其設置在所述第一疊層上；

第二疊層，其設置在所述頂部電介質層之上并具有交替的導體層和絕緣體層；

一個或多個第一垂直結構，其延伸穿過所述第一疊層；

一個或多個第二垂直結構，其延伸穿過所述第二疊層并穿過所述頂部電介質層的至少一部分，以及

導電材料，其夾在所述一個或多個第一垂直結構以及所述一個或多個第二垂直結構之間，其中，

所述導電材料的寬度大于接觸所述導電材料的所述一個或多個第二垂直結構的寬度。

2.如權利要求1所述的存儲器件，其中所述一個或多個第一垂直結構包括一個或多個第一NAND串，并且所述一個或多個第二垂直結構包括一個或多個第二NAND串。

3.如權利要求2所述的存儲器件，其中所述一個或多個第一NAND串和所述一個或多個第二NAND串中的每一者包括圍繞芯絕緣材料的多個存儲層。

4.如權利要求3所述的存儲器件，其中所述多個存儲層包括由阻擋層、存儲層、隧穿層和溝道層組成的堆疊層。

5.如權利要求4所述的存儲器件，其中源自所述導電材料的摻雜體存在于所述溝道層的與所述導電材料相鄰的部分中。

6.如權利要求4所述的存儲器件，其中，所述導電材料設置在所述一個或多個第一NAND串的頂部上的凹陷上方并且與所述一個或多個第一NAND串的所述阻擋層、所述存儲層、所述隧穿層和所述溝道層接觸。

7.如權利要求4所述的存儲器件，其中，所述一個或多個第二NAND串還包括在所述導電材料上方的嵌套凹陷，所述嵌套凹部延伸穿過所述阻擋層、所述存儲層和隧穿層。

8.如權利要求7所述的存儲器件，其中，所述一個或多個第二NAND串的所述溝道層設置在所述嵌套凹槽上方，與所述導電材料形成歐姆接觸。

9.如權利要求4所述的存儲器件，其中，所述一個或多個第二垂直結構還包括位于頂部的頂部導電材料，所述頂部導電材料電連接至所述一個或多個第二垂直結構的溝道層。

10.如權利要求9所述的存儲器件，其中，所述頂部導電材料包括多晶硅。

11.如權利要求9所述的存儲器件，其中，源自所述頂部導電材料的摻雜劑存在于與所述頂部導電材料相鄰的所述溝道層的部分中。

12.如權利要求1所述的存儲器件，其中，所述導電材料的一部分圍繞所述一個或多個第二垂直結構的下端。

13.如權利要求1所述的存儲器件，其中，所述導電材料的寬度大于接觸所述導電材料的所述一個或多個第一垂直結構的寬度。

14.如權利要求1所述的存儲器件，其中，所述導電材料從所述一個或多個第一垂直結構和所述一個或多個第二垂直結構向外突出。

15.如權利要求1所述的存儲器件，其中，所述一個或多個第二垂直結構延伸穿過所述導電材料的一部分。

16.如權利要求1所述的存儲器件，其中，所述頂部電介質層圍繞所述導電材料。

17.如權利要求1所述的存儲器件，其中，所述導電材料被配置為提供所述一個或多個第一垂直結構與所述一個或多個第二垂直結構之間的電連接。

18.如權利要求1所述的存儲器件，其中，所述導電材料包括多晶硅。