[發明專利]一種多層電路板構成的鰭線結構

有效

• 申請號: 202110611835.0
• 申請日: 2021-06-02
• 公開（公告）號: CN113347780B
• 公開（公告）日: 2022-08-02
• 發明（設計）人: 張小川;車凱強
• 申請（專利權）人: 電子科技大學
• 主分類號: H05K1/02
• 分類號: H05K1/02;H05K1/14
• 代理公司: 電子科技大學專利中心 51203
• 代理人: 張冉

1.一種多層電路板構成的鰭線結構，其特征在于，包括五層電路板，電路板的上表面和下表面都覆有金屬層；第一電路板、第二電路板、第三電路板、第四電路板和第五電路板由上至下依次緊密貼合；

第一電路板的上表面金屬層和第五電路板的下表面金屬層為全部覆銅；第一電路板的下表面金屬層、第二電路板的上下表面金屬層、第四電路板的上下表面金屬層和第五電路板的上表面金屬層相同，在全部覆銅的基礎上刻蝕有H型不覆銅區域，H型不覆銅區域呈中心對稱，中間段的刻蝕寬度小于兩端的刻蝕寬度；第二電路板和第四電路板的介質基板對應于H型不覆銅區域的位置為鏤空區域；

第三電路板呈左右對稱，上表面金屬層在全部覆銅的基礎上刻蝕有H型不覆銅區域，鰭線電路的上覆銅層位于H型不覆銅區域內，從左至右依次為第一微帶線、第一阻抗變換段、第一鰭線變換段、第二鰭線變換段、第二阻抗變換段和第二微帶線；第一微帶線的上邊界與第一阻抗變換段的上邊界齊平，第一阻抗變換段的下邊界由第一微帶線的下邊界曲線向右延伸，減小微帶線的寬度；第一鰭線變換段分為兩部分，一部分的上邊界與H型不覆銅區域的上邊界重合，下邊界由H型不覆銅區域的上邊界曲線延伸至H型不覆銅區域的上部；另一部分的上邊界與第一阻抗變換段的上邊界齊平，下邊界由第一阻抗變換段的下邊界曲線延伸至H型不覆銅區域的下邊界；第一鰭線變換段的兩部分之間留有空隙；

第三電路板的下表面金屬層在全部覆銅的基礎上刻蝕有H型不覆銅區域，鰭線電路的下覆銅層位于H型不覆銅區域內，從左至右依次為第一地面、第一地面變換段、第二地面變換段和第二地面；第一地面為全部覆銅，上下邊界與H型不覆銅區域的上下邊界齊平；第一地面變換段的上邊界與H型不覆銅區域的上邊界齊平，下邊界由第一地面右側邊界的中心位置曲線延伸至H型不覆銅區域的上邊界；第一地面變換段和第二地面變換段之間形成有無金屬覆蓋區域；

五層電路板在H型不覆銅區域的周邊緊鄰位置有連續的金屬化通孔。

2.根據權利要求1所述的多層電路板構成的鰭線結構，其特征在于，每層電路板的金屬化通孔平面相對位置都是相同的，所有金屬化通孔由樹脂塞孔并電鍍填平。

3.根據權利要求1所述的多層電路板構成的鰭線結構，其特征在于，每層電路板先進行單獨加工，使用單層的介質基板，用印制板加工工藝，對電路板表面的金屬按照設計進行加工預制；然后在電路板設計的相應位置加工連續的金屬化通孔，對需要鏤空的電路板進行鏤空處理；最后用多層板加工工藝將多層電路板疊壓在一起，形成多層電路板構成的鰭線結構。

4.根據權利要求1所述的多層電路板構成的鰭線結構，其特征在于，第三電路板的介質材料為Rogers RT/duroid 5880，相對介電常數為2.2，介質基板厚度為0.254mm，覆銅層厚度為0.035mm。

5.根據權利要求1所述的多層電路板構成的鰭線結構，其特征在于，第一電路板和第五電路板的介質材料為Rogers RT/duroid 5880，相對介電常數為2.2，介質基板厚度為1.5mm，覆銅層厚度為0.035mm。

6.根據權利要求1所述的多層電路板構成的鰭線結構，其特征在于，第二電路板和第四電路板的介質材料為FR4，相對介電常數為4.4，介質基板厚度為2mm，覆銅層厚度為0.035mm。