[發明專利]一種多重納米柱陣列長波通濾光片

有效

• 申請號: 202110610077.0
• 申請日: 2021-06-01
• 公開（公告）號: CN113325504B
• 公開（公告）日: 2022-07-29
• 發明（設計）人: 余躍;錢沁宇;王欽華
• 申請（專利權）人: 揚州大學
• 主分類號: G02B5/20
• 分類號: G02B5/20;G02B5/22
• 代理公司: 南京瑞弘專利商標事務所(普通合伙) 32249
• 代理人: 吳旭

1.一種多重納米柱陣列長波通濾光片，其特征在于，由陣列排布的波浪型亞波長超表面單元構成，所述波浪型亞波長超表面單元包括基底以及在基底上設置的超表面結構，所述超表面結構為由獨立的GaAs納米圓柱等間距排布形成兩排“V”型倒波浪結構以及兩排“Λ”型正波浪結構依次間隔相對排布組成；在同一濾光片中，所述GaAs納米圓柱的直徑d，基準圓柱的高度H，沿x軸延伸時兩GaAs納米圓柱之間的水平距離l，沿z軸延伸時，同一正波浪結構或倒波浪結構中，相鄰兩GaAs納米圓柱的高度差Δh，相鄰的“V”型倒波浪結構與“Λ”型正波浪結構水平距離b均為固定值；在y軸向上，“V”型倒波浪結構和“Λ”型正波浪結構所在的排是交替排布的，且在x軸向上，“Λ”型正波浪結構的波谷對應著“V”型倒波浪結構的波峰。

2.根據權利要求1所述的多重納米柱陣列長波通濾光片，其特征在于，所述“V”型倒波浪結構中，基準圓柱位于中間位置，GaAs納米圓柱的高度以等差數列的方式沿x軸向兩側延伸，并沿z軸向上延伸；所述“Λ”型正波浪結構中，基準圓柱位于兩端位置，以相同的等差數列方式沿x軸向中間延伸，同時沿z軸向上延伸。

3.根據權利要求2所述的多重納米柱陣列長波通濾光片，其特征在于，所述GaAs納米圓柱的直徑d為54-56nm；所述基準圓柱的高度H為70-80nm；沿x軸延伸時兩GaAs納米圓柱之間的水平距離l為20-22nm；沿z軸延伸時，同一“Λ”型正波浪結構或“V”型倒波浪結構中，相鄰兩GaAs納米圓柱的高度差Δh為85-95nm；相鄰的“V”型倒波浪結構與“Λ”型正波浪結構水平距離b為90-100nm。