[發(fā)明專利]一種減少三維存儲器的數(shù)據(jù)刷新操作的方法及裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202110608795.4
• 申請日: 2021-06-01
• 公開（公告）號: CN113241107B
• 公開（公告）日: 2022-07-26
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 王頎;楊柳;何菁;李前輝;于曉磊;霍宗亮;葉甜春
• 申請（專利權(quán)）人: 中國科學(xué)院微電子研究所
• 主分類號: G11C16/04
• 分類號: G11C16/04;H01L27/11517;H01L27/11551
• 代理公司: 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 柳虹

1.一種減少三維存儲器的數(shù)據(jù)刷新操作的方法，其特征在于，包括：

當(dāng)檢測到存儲塊中的數(shù)據(jù)的誤碼率大于或等于第一預(yù)設(shè)閾值時，將所述存儲塊作為目標(biāo)存儲塊；

確定位于目標(biāo)存儲塊中的目標(biāo)存儲層；

對所述目標(biāo)存儲層的相鄰層進行數(shù)據(jù)刷新，將所述刷新后的數(shù)據(jù)存入第一存儲塊中，并將所述相鄰層標(biāo)為無效，以使所述相鄰層不再被寫入數(shù)據(jù)；

對所述目標(biāo)存儲層的相鄰層的存儲頁施加編程電壓，以利用字線串?dāng)_效應(yīng)向所述目標(biāo)存儲層內(nèi)的存儲頁注入電子；所述編程電壓使所述相鄰層的存儲頁的閾值電壓高于所述存儲器的存儲頁的最高閾值電壓，所述相鄰層的存儲頁和所述目標(biāo)存儲層內(nèi)的存儲頁串聯(lián)連接；

當(dāng)檢測所述目標(biāo)存儲層中的數(shù)據(jù)的誤碼率大于或等于第一預(yù)設(shè)閾值時，對所述目標(biāo)存儲層進行數(shù)據(jù)刷新。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述目標(biāo)存儲層為所述相鄰層的上層和/或下層。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述方法還包括：

確定位于所述目標(biāo)存儲層中的目標(biāo)存儲單元；

在所述目標(biāo)存儲單元的相鄰層的編程單元施加編程電壓，以利用字線串?dāng)_效應(yīng)向所述目標(biāo)存儲單元注入電子；所述編程電壓使所述編程單元的閾值電壓高于所述存儲器的存儲單元的最高閾值電壓，所述編程單元和所述目標(biāo)存儲單元串聯(lián)連接。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，所述確定位于所述目標(biāo)存儲層中的目標(biāo)存儲單元，包括：

利用至少一個讀電壓對位于所述目標(biāo)存儲層的存儲單元進行讀操作，以確定各個所述存儲單元的閾值電壓所在的電壓范圍；所述電壓范圍由所述至少一個讀電壓界定，所述讀電壓至少包括第一讀電壓；

根據(jù)所述各個存儲單元的閾值電壓所在的電壓范圍，對各個所述存儲單元進行分組；

將閾值電壓均大于所述第一讀電壓的分組中的存儲單元作為目標(biāo)存儲單元，將存在閾值電壓小于所述第一讀電壓的分組中的存儲單元作為編程抑制單元。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，在所述目標(biāo)存儲層為所述相鄰層的上層或下層時，所述根據(jù)所述各個存儲單元的閾值電壓所在的電壓范圍，對各個所述存儲單元進行分組，包括：將位于同一電壓范圍的所述存儲單元作為同一組，對各個所述存儲單元進行分組；

和/或，

在所述目標(biāo)存儲層為所述相鄰層的上層和下層時，所述根據(jù)所述各個存儲單元的閾值電壓所在的電壓范圍，對各個所述存儲單元進行分組，包括：將與所述相鄰層的同一存儲單元連接的兩個目標(biāo)層的存儲單元中，閾值電壓低的存儲單元作為基準單元，將位于同一電壓范圍的所述基準單元作為同一組，對各個所述基準單元進行分組，且令與所述相鄰層的同一存儲單元連接的兩個目標(biāo)層的存儲單元屬于同一組。

6.一種減少三維存儲器的數(shù)據(jù)刷新操作的裝置，其特征在于，包括：

目標(biāo)存儲塊確定單元，用于當(dāng)檢測到存儲塊中的數(shù)據(jù)的誤碼率大于或等于第一預(yù)設(shè)閾值時，將所述存儲塊作為目標(biāo)存儲塊；

目標(biāo)存儲層確定單元，用于確定位于目標(biāo)存儲塊中的目標(biāo)存儲層；

相鄰層數(shù)據(jù)刷新單元，用于對所述目標(biāo)存儲層的相鄰層進行數(shù)據(jù)刷新，將所述刷新后的數(shù)據(jù)存入第一存儲塊中，并將所述相鄰層標(biāo)為無效，以使所述相鄰層不再被寫入數(shù)據(jù)；

編程電壓施加單元，用于對所述目標(biāo)存儲層的相鄰層的存儲頁施加編程電壓，以利用字線串?dāng)_效應(yīng)向所述目標(biāo)存儲層內(nèi)的存儲頁注入電子；所述編程電壓使所述相鄰層的存儲頁的閾值電壓高于所述存儲器的存儲頁的最高閾值電壓，所述相鄰層的存儲頁和所述目標(biāo)存儲層內(nèi)的存儲頁串聯(lián)連接；

目標(biāo)存儲層數(shù)據(jù)刷新單元，用于當(dāng)檢測所述目標(biāo)存儲層中的數(shù)據(jù)的誤碼率大于或等于第一預(yù)設(shè)閾值時，對所述目標(biāo)存儲層進行數(shù)據(jù)刷新。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的裝置，其特征在于，所述目標(biāo)存儲層為所述相鄰層的上層和/或下層。