[發明專利]一種CMOS圖像傳感器的高速列線讀出電路及讀出方法有效
| 申請號: | 202110608343.6 | 申請日: | 2021-06-01 |
| 公開(公告)號: | CN113489927B | 公開(公告)日: | 2022-06-28 |
| 發明(設計)人: | 郭仲杰;程新齊;楊佳樂;盧滬;劉楠;許睿明 | 申請(專利權)人: | 西安理工大學 |
| 主分類號: | H04N5/374 | 分類號: | H04N5/374;H04N5/378 |
| 代理公司: | 西安弘理專利事務所 61214 | 代理人: | 劉娜 |
| 地址: | 710048 陜*** | 國省代碼: | 陜西;61 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 cmos 圖像傳感器 高速 讀出 電路 方法 | ||
1.一種CMOS圖像傳感器的高速列線讀出電路,其特征在于,包括像素單元,所述像素單元輸出端連接像素面陣的列線,所述像素面陣的列線還連接電流源Ibias、采樣電容CS的正極板、輸出跨導放大器OTA的輸出端,所述采樣電容CS負極板分別連接采樣電阻RS一端和輸出跨導放大器OTA的輸入正相端,所述電流源Ibias、采樣電阻RS另一端和輸出跨導放大器OTA的輸入負相端均接地,還包括連接在像素面陣的列線上的寄生電容CP。
2.根據權利要求1所述一種CMOS圖像傳感器的高速列線讀出電路,其特征在于,所述寄生電容CP的電容值不小于采樣電容CS的電容值的10倍。
3.根據權利要求1所述一種CMOS圖像傳感器的高速列線讀出電路,其特征在于,所述像素單元包括轉移開關M1、復位開關M2、源跟隨器M3、行選開關M4,所述轉移開關M1、復位開關M2、源跟隨器M3、行選開關M4均為絕緣柵雙極晶體管,所述轉移開關M1源極連接光電二極管PD負極,所述轉移開關M1漏極分別連接復位開關M2源極、源跟隨器M3柵極、寄生電容Cfd一個極板,所述光電二極管PD正極和寄生電容Cfd另一個極板均接地,所述源跟隨器M3源極連接行選開關M4漏極,所述行選開關M4源極連接像素面陣的列線,所述源跟隨器M3漏極、復位開關M2漏極均連接電源電壓。
4.一種大面陣CMOS圖像傳感器的高速列線讀出方法,其特征在于,使用權利要求1或2所述的一種CMOS圖像傳感器的高速列線讀出電路,具體按照以下步驟實施:
當像素單元輸出高于積分信號的復位電壓時,列線上電壓信號由低到高變化,采樣電容CS與采樣電阻RS形成采樣電路,采集列線上的電流信號,并將該電流信號輸入至輸出跨導放大器OTA的輸入正相端,由于輸出跨導放大器OTA的輸入負相端接地,所以輸出跨導放大器OTA輸出由高到0的電流信號,該電流信號反饋到列線,加快對寄生電容CP的充電速度;充電越快,輸出跨導放大器OTA的輸入正相端的電流信號下降的也越快,當輸出跨導放大器OTA的輸入正相端的信號下將到0時,輸出跨導放大器OTA輸出的電流也為0,列線上的復位電壓信號建立完成并輸出至后級讀出;
當像素單元輸出低于復位電壓的積分信號時,從列線上由采樣電路采得的電壓信號由負逐漸升高到0,并將該電壓信號輸入至輸出跨導放大器OTA的輸入正相端,輸出跨導放大器OTA輸出由負到0的電流信號,該電流信號反饋到列線,加快寄生電容CP放電,放電完成時,采樣電路輸出電壓為0,輸出跨導放大器OTA的輸出電流也為0,列線上的積分電壓信號建立完成并輸出至后級讀出。
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