[發(fā)明專利]一種具有雙生長腔室的翻轉(zhuǎn)式SiC單晶生長裝置

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• 申請日: 2021-06-01
• 公開（公告）號: CN113293438A
• 公開（公告）日: 2021-08-24
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陳啟生;許學(xué)仁
• 申請（專利權(quán)）人: 中科匯通（內(nèi)蒙古）投資控股有限公司
• 主分類號: C30B29/36
• 分類號: C30B29/36;C30B23/00
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種具有雙生長腔室的翻轉(zhuǎn)式SiC單晶生長裝置，其特征在于，包括加熱線圈、翻轉(zhuǎn)裝置和組合坩堝；所述組合坩堝包括第一石墨坩堝和第二石墨坩堝，所述第一石墨坩堝的底部和第二石墨坩堝的底部相鄰固定，所述第一石墨坩堝和第二石墨坩堝分別具有獨(dú)立的供SiC單晶生長的生長腔室；所述加熱線圈分別獨(dú)立置于所述第一石墨坩堝和第二石墨坩堝外側(cè)；所述翻轉(zhuǎn)裝置通過支撐桿分別與所述組合坩堝的中部和端部連接，所述組合坩堝可在豎直平面內(nèi)繞其中部對稱旋轉(zhuǎn)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種具有雙生長腔室的翻轉(zhuǎn)式SiC單晶生長裝置，其特征在于，所述第一石墨坩堝和第二石墨坩堝的底部分別設(shè)有可供裝填碳化硅原粉的第一石墨底蓋和第二石墨底蓋。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種具有雙生長腔室的翻轉(zhuǎn)式SiC單晶生長裝置，其特征在于，所述第一石墨底蓋和所述第二石墨底蓋之間設(shè)有可控制連通或關(guān)閉的石墨隔板。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種具有雙生長腔室的翻轉(zhuǎn)式SiC單晶生長裝置，其特征在于，所述第一石墨坩堝包括第一原粉腔室、第一生長腔室和第一籽晶托，所述第一原粉腔室和第一籽晶托分別位于所述第一石墨坩堝的兩端；所述第二石墨坩堝包括第二原粉腔室、第二生長腔室和第二籽晶托，所述第二原粉腔室和第二籽晶托分別位于所述第二石墨坩堝的兩端。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種具有雙生長腔室的翻轉(zhuǎn)式SiC單晶生長裝置，其特征在于，所述第一原粉腔室和所述第二原粉腔室對稱設(shè)置，均位于所述組合坩堝的中部。

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種具有雙生長腔室的翻轉(zhuǎn)式SiC單晶生長裝置，其特征在于，所述第一原粉腔室包括位于中間的第一主粉倉和位于兩側(cè)的第一輔助粉倉，所述第一主粉倉和第一輔助粉倉相通，所述第一輔助粉倉的高度超過所述第一主粉倉，所述第一輔助粉倉設(shè)有至少一個伸向所述第一生長腔室的第一水平氣管，所述第一水平氣管表面均布有氣孔，所述第一水平氣管與所述第一輔助粉倉內(nèi)部相通處設(shè)有第一擋板，所述第一擋板為僅可供氣體通過的多孔石墨擋板。

7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種具有雙生長腔室的翻轉(zhuǎn)式SiC單晶生長裝置，其特征在于，所述第二原粉腔室包括位于中間的第二主粉倉和位于兩側(cè)的第二輔助粉倉，所述第二主粉倉和第二輔助粉倉相通，所述第二輔助粉倉的高度超過所述第二主粉倉，所述第二輔助粉倉設(shè)有至少一個伸向所述第二生長腔室的第二水平氣管，所述第二水平氣管表面均布有氣孔，所述第二水平氣管與所述第二輔助粉倉內(nèi)部相通處設(shè)有第二擋板，所述第二擋板為僅可供氣體通過的多孔石墨擋板。

8.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種具有雙生長腔室的翻轉(zhuǎn)式SiC單晶生長裝置，其特征在于，所述組合坩堝處于豎直靜止?fàn)顟B(tài)時，所述第一原粉腔室的第一輔助粉倉中存放的原粉高度低于所述第一水平氣管，所述第二原粉腔室的第二輔助粉倉中存放的原粉高度低于所述第二水平氣管。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種具有雙生長腔室的翻轉(zhuǎn)式SiC單晶生長裝置，其特征在于，所述組合坩堝在旋轉(zhuǎn)開始前或結(jié)束后均處于豎直位置。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種具有雙生長腔室的翻轉(zhuǎn)式SiC單晶生長裝置，其特征在于，所述翻轉(zhuǎn)裝置控制所述組合坩堝以順時針或逆時針間斷式旋轉(zhuǎn)，單次連續(xù)旋轉(zhuǎn)固定角度180度。