[發明專利]具有生長氣氛中碳硅比例調節功能的碳化硅單晶生長設備

有效

• 申請號: 202110608165.7
• 申請日: 2021-06-01
• 公開（公告）號: CN113337893B
• 公開（公告）日: 2022-08-02
• 發明（設計）人: 陳啟生;許學仁
• 申請（專利權）人: 中科匯通（內蒙古）投資控股有限公司
• 主分類號: C30B29/36
• 分類號: C30B29/36;C30B23/00
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.具有生長氣氛中碳硅比例調節功能的碳化硅單晶生長設備，包括石英管、感應線圈和石墨坩堝，其特征在于，所述石墨坩堝包括碳化硅粉末加熱區、生長腔室和籽晶托，所述碳化硅粉末加熱區由第一蓋板和石墨坩堝底部構成，所述碳化硅粉末加熱區與所述生長腔室之間還設有第二蓋板和第三蓋板，所述碳化硅粉末加熱區底部設有穿過碳化硅粉末的豎直氣管，所述碳化硅粉末加熱區與石墨坩堝內壁之間至少設有一條氣體通道與所述豎直氣管的底部相通，所述氣體通道的上端與第一蓋板及第二蓋板之間的半密閉空間相連通；第一蓋板和石墨坩堝底部構成半密閉空間，所述碳化硅粉末加熱區在裝填完碳化硅粉末后仍留有空間；所述豎直氣管的頂部超過所述碳化硅粉末的上表面、且低于第一蓋板下表面；所述第三蓋板位于所述第二蓋板的上方，所述第三蓋板和第二蓋板之間構成半密閉空間；所述豎直氣管的底部設有與所述氣體通道相通的進氣口，所述豎直氣管的下部1/3高度范圍的外表面存在貫通的第一氣孔，所述豎直氣管超過碳化硅粉末上表面的上部外表面存在貫通的第二氣孔，豎直氣管第一氣孔所在橫截面內的氣孔數量多于第二氣孔所在橫截面內的氣孔數量；所述第一蓋板表面設有均勻分布的第一微孔，所述第二蓋板表面只在中心處設有均勻分布的第二微孔，所述第三蓋板表面設有均勻分布的第三微孔。

2.如權利要求1所述的具有生長氣氛中碳硅比例調節功能的碳化硅單晶生長設備，其特征在于，所述第一蓋板、第二蓋板和第三蓋板的直徑依次增大。

3.如權利要求1所述的具有生長氣氛中碳硅比例調節功能的碳化硅單晶生長設備，其特征在于，所述石墨坩堝的內壁包括第一蓋板固定塊、第二蓋板固定塊和第三蓋板固定塊。

4.如權利要求1所述的具有生長氣氛中碳硅比例調節功能的碳化硅單晶生長設備，其特征在于，第三微孔的密度大于第一微孔的密度。

5.如權利要求1所述的具有生長氣氛中碳硅比例調節功能的碳化硅單晶生長設備，其特征在于，所述第一蓋板和第二蓋板之間的間距不超過20 mm，所述第二蓋板和第三蓋板之間的間距不超過20 mm。