[發明專利]一種TSV電鍍工藝在審
| 申請號： | 202110607718.7 | 申請日： | 2021-06-01 |
| 公開（公告）號： | CN113345836A | 公開（公告）日： | 2021-09-03 |
| 發明（設計）人： | 馮光建;黃雷;郭西;高群;顧毛毛 | 申請（專利權）人： | 浙江集邁科微電子有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/768 | 分類號： | H01L21/768;C25D3/38;C25D5/00;C25D5/48;C25D7/12 |
| 代理公司： | 無錫市興為專利代理事務所(特殊普通合伙) 32517 | 代理人： | 屠志力 |
| 地址： | 313100 浙江省湖州市長興縣經濟技術開發*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 tsv 電鍍 工藝 | ||
1.一種TSV電鍍工藝，其特征在于，包括：
步驟S1，通過博世刻蝕工藝在硅片表面刻蝕TSV孔，TSV孔側壁會形成周期性階梯起伏圖形；然后通過熱氧化工藝在TSV孔內壁和硅片表面形成第一鈍化層；
步驟S2，用具有腐蝕作用的酸對硅片進行表面處理，把硅片表面和TSV孔內壁形成的第一鈍化層材料去除，同時使硅片表面和TSV孔側壁變得光滑；
步驟S3，在硅片表面和TSV孔內壁制作第二鈍化層，并在第二鈍化層上沉積種子層；
步驟S4，在硅片表面電鍍銅，使銅金屬充滿TSV孔；銅CMP工藝去除硅片表面的銅，留下TSV孔中的填銅，形成TSV導電柱。
2.如權利要求1所述的TSV電鍍工藝，其特征在于，
步驟S1中，所形成的的TSV孔直徑范圍在1μm～1000μm，深度在10μm～1000μm；第一鈍化層厚度范圍在10nm～100μm。
3.如權利要求1所述的TSV電鍍工藝，其特征在于，
步驟S2中，利用氫氟酸對硅片進行表面處理。
4.如權利要求3所述的TSV電鍍工藝，其特征在于，
步驟S2中，表面處理時的溫度為35℃～40℃，氫氟酸濃度為35%～40%。
5.如權利要求1所述的TSV電鍍工藝，其特征在于，
步驟S3中，通過在硅片表面和TSV孔內壁沉積氧化硅或氮化硅，或者直接熱氧化形成第二鈍化層。
6.如權利要求5所述的TSV電鍍工藝，其特征在于，
第二鈍化層厚度范圍在10nm～100μm。
7.如權利要求1所述的TSV電鍍工藝，其特征在于，
步驟S4中，銅金屬充滿TSV孔后，200到500度溫度下密化使銅更致密。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
