[發明專利]一種用于制備選擇性發射極的鏈式設備

有效

• 申請號: 202110607708.3
• 申請日: 2021-06-01
• 公開（公告）號: CN113345981B
• 公開（公告）日: 2022-12-06
• 發明（設計）人: 奚琦鵬;潘琦;史卓群
• 申請（專利權）人: 常州時創能源股份有限公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18;H01L21/677
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

本發明公開了一種用于制備選擇性發射極的鏈式設備，包括用于傳送硅片的傳送裝置，以及沿傳送方向依次設置的功能區：鏈式制絨區，第一氧化區，第一沉積區，烘干區，第二氧化區，第一擴散區，第二沉積區，第二擴散區，第三氧化區。本發明的鏈式設備能制備N型電池的選擇性發射極，且外擴可控，結深差異化可控，不損傷絨面，全程鏈式，產能高。

技術領域

本發明涉及光伏領域，具體涉及一種用于制備選擇性發射極的鏈式設備。

背景技術

目前，N型電池選擇性發射極制備工藝主要有：二次擴散法、掩膜法、反刻蝕法、激光摻雜法和摻雜漿料熱擴散法等。

二次擴散法需要經歷沉積掩膜層-激光開槽（重摻區）、第一次熱擴散（重摻區制備）、清洗掩膜層、第二次熱擴散（輕摻區制備）等步驟，需要2次進出管式爐，并且需要用到激光設備，易損傷絨面結構，耗時長，成本大，工藝繁瑣。

掩膜法需要經歷第一次熱擴散、掩膜圖形化、清洗非掩膜區BSG、去掩膜、第二次熱擴散等步驟，全程也需2次進出管式爐，耗時較長，操作繁瑣。

反刻蝕法需要經歷熱擴散、掩膜圖形化、酸腐蝕（非掩膜區）、去掩膜層等步驟，雖工藝步驟簡單但是工藝窗口窄，不利于工藝控制，而且破壞絨面，不適用受光面結構制備，且存在環保壓力。

激光摻雜法，在熱擴散后的電池片BSG表面進行圖案化激光處理，存在2個難點：首先是激光對絨面的損傷無法消除；其次是由于硼在硅中的摻雜難度大，激光能量控制難度高，工藝窗口窄；這兩方面的矛盾導致工藝尚未成熟。

綜上所述，現有的N型電池選擇性發射極制備工藝的缺點總結如下：①耗時較長，需2次進出管式爐，管式爐升溫降溫，進出爐都比較耗時，且熱歷程過長，影響硅片性能；②工藝復雜，如使用掩膜，需沉積膜層或印刷掩膜，還需使用濕法方式進行清洗和去除掩膜，化學品的使用增加環保壓力；③工藝不穩定，窗口小，如激光摻雜工藝，激光能量過大損傷正面絨面結構，激光能量太小硼源摻雜不夠，達不到預期效果；④損傷絨面，N型電池正面為受光面，激光的方式或化學品腐蝕的方式都會破壞絨面，對電池短路電流有很大影響。

發明內容

本發明的目的在于提供一種用于制備選擇性發射極的鏈式設備，包括用于平置傳送硅片的傳送裝置，以及沿硅片傳送方向依次設置、且被傳送裝置貫穿的功能區：

第一沉積區，其對途徑的硅片進行第一次沉積處理，在硅片上表面重摻區沉積硼漿，形成作為重摻區摻雜源的硼漿層，該硅片為制絨后的硅片；

第一擴散區，其對途徑的硅片進行第一次高溫推進處理，使重摻區摻雜源向硅片中擴散；

第二沉積區，其對途徑的硅片進行第二次沉積處理，在硅片上表面輕摻區沉積作為輕摻區摻雜源的液態硼源；

第二擴散區，對硅片進行第二次高溫推進處理，使重摻區摻雜源和輕摻區摻雜源向硅片中擴散。

優選的，第一沉積區設有對途徑的硅片進行第一次沉積處理的：絲網印刷機構、噴墨打印機構、轉印機構或噴涂機構。

優選的，第二沉積區設有對途徑的硅片進行第二次沉積處理的：噴涂機構、旋涂機構或滾刷機構。

優選的，所述功能區還包括：設置在第一沉積區之前的第一氧化區；第一氧化區，其對途徑的硅片進行第一次氧化處理，在硅片表面形成第一氧化層，該硅片為制絨后的硅片。

優選的，所述功能區還包括：設置在第一沉積區和第一擴散區之間的第二氧化區；第二氧化區，其對途徑的硅片進行第二次氧化處理，在硅片的硼漿層表面形成第二氧化層。

優選的，所述功能區還包括：設置在第二擴散區之后的第三氧化區；第三氧化區，其對途徑的硅片進行第三次氧化處理。